Физические основы электроники. Усольцев В.К. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

4
1.1.3. Исследование характеристик биполярного транзистора
1.1.3.1. Входная характеристика транзистора. Собрать схему рис.1.2.
Изменяя положение движка резистора R1 снять не менее 10 точек на входной
характеристике транзистора при U
К
= 5 В. Результаты эксперимента свести в
табл.1.2. Построить входную характеристику транзистора
(
)
БЭБ
UfI =
.
Рассчитать и построить зависимость входного сопротивления транзистора
от его базового тока
()
БВХ
Ifr = . Для расчета использовать формулы
ii
ii
ВХ
II
UU
r
=
+
+
1
1
,
2
1 ii
Б
II
I
+
=
+
, (1.2)
где
i, i+1номера экспериментальных точек в порядке возрастания напряже-
ния U
БЭ
. Результаты расчета свести в табл.1.3.
Рис.1.2. Схема для снятия характеристик транзистора
Таблица 1.2
Входная характеристика транзистора типа 2N2218
U
БЭ
, В
I
Б
, мА
Таблица 1.3
Входное сопротивление транзистора типа 2N2218
I
Б
, мА
r
ВХ
, Ом
1.1.3.2. Выходные характеристики транзистора. При неизменном на-
пряжении U
К
изменять (меняя положение движка R1) ток базы. Регистрировать
ток базы, ток коллектора и напряжение коллектора. Измерения повторить для
девяти значений напряжения эмиттерколлектор U
КЭ
и пяти значений базово-
го тока I
Б
. Рекомендуемые напряжения U
KЭ
: 0,1; 0,3; 0,5; 0,7; 1,0; 2,0; 4,0; 6,0 и
10 В. Результаты измерений свести в табл.1.4. Построить семейство выходных
характеристик
(
)
КЭK
UfI = при I
Б
= const.
«Программа» «Методические указания» «Варианты задания»
      1.1.3. Исследование характеристик биполярного транзистора
       1.1.3.1. Входная характеристика транзистора. Собрать схему рис.1.2.
Изменяя положение движка резистора R1 снять не менее 10 точек на входной
характеристике транзистора при UК = 5 В. Результаты эксперимента свести в
табл.1.2. Построить входную характеристику транзистора I Б = f (U БЭ ) .
       Рассчитать и построить зависимость входного сопротивления транзистора
от его базового тока rВХ = f (I Б ) . Для расчета использовать формулы
                   U − Ui               I +I
              rВХ = i +1         , I Б = i +1 i ,                       (1.2)
                    I i +1 − I i             2
где i, i+1 – номера экспериментальных точек в порядке возрастания напряже-
ния UБЭ. Результаты расчета свести в табл.1.3.




      Рис.1.2. Схема для снятия характеристик транзистора
                                                                     Таблица 1.2
               Входная характеристика транзистора типа 2N2218
UБЭ, В
IБ, мА

                                                                     Таблица 1.3
               Входное сопротивление транзистора типа 2N2218
IБ, мА
rВХ, Ом

      1.1.3.2. Выходные характеристики транзистора. При неизменном на-
пряжении UК изменять (меняя положение движка R1) ток базы. Регистрировать
ток базы, ток коллектора и напряжение коллектора. Измерения повторить для
девяти значений напряжения эмиттер – коллектор UКЭ и пяти значений базово-
го тока IБ. Рекомендуемые напряжения UKЭ: 0,1; 0,3; 0,5; 0,7; 1,0; 2,0; 4,0; 6,0 и
10 В. Результаты измерений свести в табл.1.4. Построить семейство выходных
характеристик I K = f (U КЭ ) при IБ = const.

      «Программа» «Методические указания» «Варианты задания»

                                        4