Физические основы электроники. Усольцев В.К. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

5
1.1.3.3. При U
КЭ
= 4В рассчитать и построить зависимости коэффициента
усиления транзистора по току
(
)
K
If
=
β
и коллекторного сопротивления
()
KK
Ifr =
от коллекторного тока транзистора
Коэффициент усиления транзистора по току рассчитывать по формулам
БiБi
KiKi
II
II
−
−
=
+
+
1
1
β
,
2
1 KiKi
K
II
I
+
=
+
, (1.3)
где
i, i+1 – точки на i-той и i+1-ой выходной характеристиках транзисто-
ра при U
КЭ
= const.
Таблица 1.4
Выходные характеристики транзистора типа 2N2218
Ток коллектора I
K
, мА
U
КЭ
, В
I
Б
= 0,0 мА I
Б
= 0,1 мА I
Б
= 0,2 мА I
Б
= 0,3 мА I
Б
= 0,4 мА
0,1
…
10
Коллекторное сопротивление рассчитывается по формулам
KiKi
KiKi
K
II
UU
r
−
−
=
+
+
1
1
,
2
1 KiKi
K
II
I
+
=
+
, (1.4)
где
i, i+1 – соседние точки на одной выходной характеристике при I
Б
= const.
Результаты расчета свести в табл.1.5.
Таблица 1.5
Зависимость коэффициента усиления по току
β
и коллекторного сопро-
тивления r
K
от тока коллектора I
К
для транзистора типа 2N2218
I
K
, мА
β
r
K
, Ом
1.2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ
ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ
«Программа» «Варианты задания» «Содержание»
1.2.1. Вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n перехода.
Большинство ПП приборов включают один или несколько p-n переходов.
Полупроводниковый p-n переход, это область на стыке полупроводников n и р
типа, обедненная основными носителями зарядов. Вольт – амперная характери-
стика (ВАХ) p-n перехода, как зависимость тока перехода от приложенного к
нему напряжения, достаточно точно описывается следующим выражением
))(()1)(exp(
ToбпрнпрToобрпр
UUIUIIII
ψ
ψ
+
−
−
−
=−= , (1.5) 
      1.1.3.3. При UКЭ = 4В рассчитать и построить зависимости коэффициента
усиления транзистора по току β = f (I K ) и коллекторного сопротивления
rK = f (I K ) от коллекторного тока транзистора
      Коэффициент усиления транзистора по току рассчитывать по формулам
                   I       −I      I      +I
               β = Ki +1 Ki , I K = Ki +1 Ki ,                       (1.3)
                   I Бi +1 − I Бi        2
      где i, i+1 – точки на i-той и i+1-ой выходной характеристиках транзисто-
ра при UКЭ = const.
                                                                   Таблица 1.4
                 Выходные характеристики транзистора типа 2N2218
                                         Ток коллектора IK, мА
   UКЭ, В      IБ = 0,0 мА     IБ = 0,1 мА IБ = 0,2 мА IБ = 0,3 мА             IБ = 0,4 мА
    0,1
    …
    10
       Коллекторное сопротивление рассчитывается по формулам
                 U        − U Ki        I      +I
             rK = Ki +1          , I K = Ki +1 Ki ,                  (1.4)
                  I Ki +1 − I Ki              2
где i, i+1 – соседние точки на одной выходной характеристике при IБ = const.
       Результаты расчета свести в табл.1.5.
                                                                  Таблица 1.5
       Зависимость коэффициента усиления по току β и коллекторного сопро-
тивления rK от тока коллектора IК для транзистора типа 2N2218
     IK, мА
       β
    rK, Ом

              1.2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ
                         ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ
      «Программа» «Варианты задания» «Содержание»
      1.2.1. Вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n перехода.
      Большинство ПП приборов включают один или несколько p-n переходов.
Полупроводниковый p-n переход, это область на стыке полупроводников n и р
типа, обедненная основными носителями зарядов. Вольт – амперная характери-
стика (ВАХ) p-n перехода, как зависимость тока перехода от приложенного к
нему напряжения, достаточно точно описывается следующим выражением
             I = I пр − I обр = I o (exp(U ψ T ) − 1) − I нпр ( − (U oбпр + U ) ψ T ) , (1.5)

                                             5

Страницы