Физические основы электроники. Усольцев В.К. - 7 стр.

            1.2.1. Вольтамперные характеристики и схема замещения
                            биполярного транзистора
      Наиболее полно статические параметры биполярного транзистора описы-
ваются входной ВАХ и семейством выходных характеристик. Входная ВАХ
транзистора I Б = f (U БЭ ) при UКЭ = const практически не зависит от напряжения
коллектор-эмиттер и повторяет ВАХ p-n перехода (см. рис.1.3). Выходные ха-
рактеристики транзистора I K = f (U КЭ ) при IБ = const приведены на рис.1.4.

                                                Рис.1.4. Выходные характери-
                                           стики биполярного транзистора
                                                1 – зона насыщения,
                                                2 – активная зона,
                                                3 – зона отсечки.

                                             На семействе выходных харак-
                                       теристик транзистора можно выделить
                                       три зоны: 1 – зона насыщения, в кото-
                                       рой транзистор полностью открыт и
его напряжение коллектор-эмиттер минимально; 2 – активная зона, в которой
ток коллектора пропорционален току базы; 3 – зона отсечки, когда транзистор
полностью закрыт, а его коллекторный ток минимален.
      Так как характеристики ПП приборов не линейны, то при аналитических
расчетах используются дифференциальные параметры. Дифференциальные па-
раметры определяются как производные в конкретных точках характеристик.
      Рис.1.5 иллюстрирует методику определения дифференциального сопро-
тивления. Дифференциальное входное сопротивление транзистора определяет-
ся по входной ВАХ транзистора, как отношение приращения напряжения к
приращению тока для касательной, проведенной через точку А, в которой оп-
ределяется это сопротивление. Аналогично определяется любое дифференци-
альное сопротивление.

                                                   Рис.1.5. Методика опреде-
                                              ления входного сопротивления
                                              транзистора

                                                   Входное дифференциальное
                                              сопротивление транзистора равно
                                                           ΔU БЭ
                                                     rВХ =       . (1.7)
                                                            ΔI Б



                                       7