Физические основы электроники. Усольцев В.К. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

8
Из рис.1.4. видно, что в активной зоне транзистор ведет себя как источ-
ник тока, управляемый базовым током, поэтому основным параметром транзи-
стора является коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером
Б
K
Б
K
Э
I
I
dI
dI
h
Δ
Δ
===
21
β
, при U
КЭ
= const. (1.8)
Определение
K
I
Δ
иллюстрируется рис.1.4, а
23 БББ
III −
=
Δ
. В общем
случае
β
зависит от тока коллектора и температуры перехода. При аналитиче-
ских расчетах широко применяют схемы замещения транзистора, которые опи-
сывают транзистор линейной схемой и справедливы для сравнительно неболь-
ших изменений токов и напряжений. На рис.1.6,а приведена более полная, а на
рис.1.6,б упрощенная схемы замещения биполярного транзистора.
Рис.1.6. Схемы замещения транзистора
r
K
, r
Б
, r
Э
– коллекторное, базовое и эмиттерное дифференциальные сопро-
тивления транзистора,
С
К
, С
БЭ
– емкости переходов коллектор-база и база-эмиттер,
(
)
ЭБВХ
rrr ⋅++=
β
1
- дифференциальное входное сопротивление.
Для сопротивлений выполняется соотношение
Э
Б
K
rrr >>>
, поэтому
эмиттерное сопротивление в выходной цепи схемы замещения транзистора на
рис.1.6,б не учитывается.
«Программа» «Методические указания» «Содержание»
1.3. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЯ
Таблица 1.6
Варианты исследуемых элементов
№ вариан. Стабилитрон Транзистор № вариан. Стабилитрон Транзистор
1 1N4728 2N2218 9 1N4747 2N4124
2 1N4732 2N4014 10 1N4746 2N4014
3 1N4736 2N2222 11 IN4743 2N3947
4 1N4738 2N4124 12 1N4739 2N3907
5 1N4742 2N3391 13 1N4737 2N3707
6 1N4744 2N3907 14 1N4735 2N3391
7 1N4746 2N3707 15 1N4733 2N2218
8 1N4748 2N3947 16 1N4729 2N2222 
      Из рис.1.4. видно, что в активной зоне транзистор ведет себя как источ-
ник тока, управляемый базовым током, поэтому основным параметром транзи-
стора является коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером
               dI K ΔI K
      β = h21Э =   =     , при UКЭ = const.                            (1.8)
               dI Б ΔI Б
     Определение ΔI K иллюстрируется рис.1.4, а ΔI Б = I Б 3 − I Б 2 . В общем
случае β зависит от тока коллектора и температуры перехода. При аналитиче-
ских расчетах широко применяют схемы замещения транзистора, которые опи-
сывают транзистор линейной схемой и справедливы для сравнительно неболь-
ших изменений токов и напряжений. На рис.1.6,а приведена более полная, а на
рис.1.6,б упрощенная схемы замещения биполярного транзистора.




           Рис.1.6. Схемы замещения транзистора
      rK, rБ, rЭ – коллекторное, базовое и эмиттерное дифференциальные сопро-
тивления транзистора,
      СК, СБЭ – емкости переходов коллектор-база и база-эмиттер,
      rВХ = rБ + (1 + β ) ⋅ rЭ - дифференциальное входное сопротивление.
      Для сопротивлений выполняется соотношение rK >> rБ > rЭ , поэтому
эмиттерное сопротивление в выходной цепи схемы замещения транзистора на
рис.1.6,б не учитывается.
      «Программа» «Методические указания» «Содержание»
     1.3. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЯ
                                                                  Таблица 1.6
                   Варианты исследуемых элементов
№ вариан. Стабилитрон Транзистор № вариан. Стабилитрон Транзистор
    1       1N4728      2N2218         9        1N4747  2N4124
    2       1N4732      2N4014        10        1N4746  2N4014
    3       1N4736      2N2222        11        IN4743  2N3947
    4       1N4738      2N4124        12        1N4739  2N3907
    5       1N4742      2N3391        13        1N4737  2N3707
    6       1N4744      2N3907        14        1N4735  2N3391
    7       1N4746      2N3707        15        1N4733  2N2218
    8       1N4748      2N3947        16        1N4729  2N2222
                                      8

Страницы