ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение……………………………………………………………….
Глава 1. Физические процессы в p-n переходах……………………
1.1. Распределение концентраций носителей заряда………....
1.2. Вольтамперная характеристика p-n перехода.…………..
1.3. Вольтамперная характеристика реального диода при
обратном смещении…………………..………………….
1.4. Вольтамперная характеристика реального диода при
прямом смещении….……………………………………….
1.5. Барьерная емкость p-n перехода……………….………….
1.6. Контрольные задания……………………….………...……
1.7. Задачи и упражнения……………………………..………..
Глава 2. Нестационарные процессы в p-n переходах…………...….
2.1. Физические основы работы полупроводниковых диодов
в нестационарных режимах……………………..…………
2.2. Постановка краевых задач………………………..………..
2.3. Контрольные задания……………………….………...……
2.4. Вопросы для тестирования………………………….……..
Глава 3. Нестационарные процессы в p-n переходах в режимах
переключения………………………………….……………
3.1. Переключение диода из режима постоянного прямого
тока в режим обратного смещения………………………..
3.2. Переключение диода из режима прямого тока в
нейтральное состояние……………………………………..
3.3. Переходные процессы в p-n переходах при воздействии
импульса прямого тока………………………………...…..
3.4. Контрольные задания……………………….………...……
