Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

5
ВВЕДЕНИЕ
Нестационарные процессы в однородных и неоднородных (с p-n
переходом) полупроводниках в значительной мере определяют показатели
качества электронных средств передачи, хранения, преобразования и
обработки информации. В основе таких процессов лежит изменение
концентрации неравновесных неосновных носителей в полупроводниках
по координате и во времени, обусловленное воздействием режимных
(ступенчатое изменение прямого тока, напряжения смещения) или
внешних (импульсное излучение оптического или гамма-рентгеновского
диапазонов) факторов. Сопутствующие таким воздействиям
перераспределения концентраций неосновных носителей сопровождаются
генерацией переходных токов и напряжений в элементах микросхем,
оптоэлектроники, интегральной оптики. Это может послужить причиной
искажений информационных и формирования ложных сигналов.
Количественная оценка параметров нестационарных эффектов возможна
только при установлении законов изменения концентрации неосновных
носителей во время и после воздействия режимных или внешних факторов,
что вызывает необходимость постановки и решения соответствующих
краевых задач. Постановка задачи предусматривает составление
дифференциального уравнения, формализацию начального и граничных
условий. Многообразие вариантов сочетаний различных
дифференциальных уравнений, начальных и граничных условий
определяет множество типов различных краевых задач и объясняет
существование проблемы поиска эффективных решений типовых задач.
В учебном пособии рассматриваются физические процессы в
полупроводниках при воздействии режимных и внешних факторов,
постановка и решение краевых задач, адекватно отражающих сущность
физических процессов, методика расчета переходных токов и напряжений
в p-n переходах.

Страницы