Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

7
локализации зарядов различной толщины
вблизи границы раздела (рис. 1.2).
Приконтактные объемные заряды
обусловливают электрическое поле,
направленное от
n-области к p
+
-области.
Характеристики поля: потенциал
V –
работа, которую необходимо совершить для
перемещения единичного положительного
заряда из точки с нулевым потенциалом
(поверхность земли) в данную точку против
действия сил поля; напряженность,
определяемая градиентом потенциала,
dxdVE −= .
Определенная направленность
приконтактного электрического поля
вызывает торможение процессов
диффузионного перемещения основных
носителей и появление дрейфовых токов
неосновных носителей, направленных
противоположно диффузионным токам
основных носителей. В состоянии
равновесия при отсутствии внешнего
смещения компоненты диффузионных и
дрейфовых токов равны по величине и
противоположны по направлению, что
приводит к равенству нулю
результирующего тока через
p
+
-n переход.
На рисунках представлены распределения
концентраций основных и неосновных
носителей (рис. 1.3) и плотности объемного
заряда ρ (рис. 1.4) в
p
+
и n-областях,
зависимости напряженности электрического
поля в приконтактных областях (рис. 1.5),
зонная диаграмма
p
+
-n перехода (рис. 1.6).
Концентрации электронов в зоне
проводимости и дырок в валентной зоне
невырожденного примесного полупроводника определяются выражениями
kT
FE
c
c
eNn
−
−
=
,
kT
EF
eNp
υ
−
−
υ
=
, (1.1)
N
N
d
0 x
N
a
Рис. 1.2. Распределение
концентраций ионизи-
рованных атомов приме-
сей у границы раздела
ρ
+
0
x
–
Рис. 1.4. Распределение
плотностей объемного
заряда
P
p
n, p
n
n
P
n
n
n
х
0
Рис. 1.3. Распределение кон-
центраций носителей заряда в
p
+
и n-областях

Страницы