Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

9
к....к
qVEEEEE
npncpc
=−=−=∆
υυ
, называемую высотой
потенциального барьера. Величина
q
FF
q
E
V
pn
−
=
∆
=
к
к
- контактная
разность потенциалов. Ее можно выразить через равновесные
концентрации электронов и дырок, используя выражения для
p
p
и
n
n
p
n
T
n
p
T
i
pn
T
p
p
n
n
n
pn
V
lnlnln
2
к
ϕ=ϕ=ϕ= . (1.6)
Из (1.6) следует
T
V
pn
epp
ϕ
=
к
,
T
V
np
enn
ϕ
=
к
. (1.7)
Выражения (1.2) - (1.7) отражают взаимосвязи между
характеристиками переходной области - контактной разностью
потенциалов
к
V , высотой потенциального барьера
∆
Е и равновесными
концентрациями основных и неосновных носителей
p
+
и n-областях.
1.2. Вольтамперная характеристика р-n перехода
Равновесные концентрации основных носителей в p
+
и n-областях
определяют свойства перехода при подаче на него внешнего смещения.
Прямое смещение происходит, когда электрическое поле, создаваемое
внешним источником, направлено навстречу полю в переходной области.
При этом потенциальный барьер уменьшится, что приведет к нарушению
равновесия, появлению неравновесных токов основных носителей через
границу раздела областей. Следствием этого будет нарушение условий
электронейтральности вблизи границы и перемещение равного числа
основных носителей из периферийных областей к границе перехода в
каждой области.
За время, равное времени жизни, инжектированные в
p
+
и n-области
неосновные носители успевают
переместиться вглубь полупроводника
на расстояния, значительно превыша-
ющие толщину слоя объемного заряда.
Выполнение условий электронейтраль-
ности во всех областях приводит к
специфическому закону распределения
неосновных носителей
p
+
и n-областях,
рис. 1.7. Увеличение прямого
смещения будет сопровождаться
p, n
р
p
n
n
р
n1
р
n
n
p
п
p1
x
p
0
x
n
Рис. 1.7. Распределение концентра-
ций носителей при прямом смеще-
нии

Страницы