Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

11
Для количественной оценки взаимосвязи средней скорости
дрейфового движения электронов с напряженностью электрического поля
вводится понятие подвижности
E
n
µ
=υ
др
,
где
nncn
ml
.
τ=
µ
- подвижность электронов, l – длина свободного пробега
носителей.
Плотность дрейфовой составляющей тока электронов
дрдр.
υ= qnj
n
,
а удельная объемная проводимость, обусловленная дрейфовым переносом
электронов,
n
n
n
qn
E
qn
E
j
µ=
υ
==σ
дрдр.
.
Второе слагаемое в уравнениях (1.8) характеризует диффузионную
составляющую тока, протекающего через
n-область p
+
-n структуры.
Диффузионный ток возникает при неравномерном
пространственном распределении концентрации носителей заряда в
пределах некоторой области. Такая ситуация характерна для
p
+
и n-
областей рассматриваемой структуры, рис. 1.7. Плотности диффузионных
токов электронов
диф.n
j
и дырок
диф.p
j
пропорциональны градиентам
концентраций
dx
dn
qDj
nn
=
диф.
,
dx
dp
qDj
pp
−=
диф.
,
где
n
D,
p
D - коэффициенты диффузии электронов и дырок, которые
определяются из соотношений Эйнштейна
nn
l
kT
D µ=
,
pp
l
kT
D µ=
.
При комнатной температуре и относительно малой концентрации
примесей для кремния
123
см108,3
−−
⋅⋅=
n
D ,
123
см103,1
−−
⋅⋅=
p
D .
Отрицательный знак отражает противоположные направления
векторов плотности тока дырок и градиента их концентрации. В общем
случае взаимные направления векторов:
dx
dn
электроны
диф.n
I
dx
dр
дырки
диф.p
I

Страницы