Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

12
Векторы плотности дрейфовых токов совпадают по направлению с
векторами напряженности электрического поля.
При малом уровне инжекции, соответствующему малым
напряжениям внешнего смещения, дрейфовая составляющая тока перехода
значительно меньше диффузионной, что позволяет представить (1.8) в
виде
dx
dp
qDj
pp
−= ,
dx
dn
qDj
nn
= , (1.9)
т.е. токи неосновных носителей являются диффузионными.
Концентрация неосновных носителей значительно меньше
концентрации основных, поэтому на удалении от
p
+
-n перехода ток будет
определяться основными носителями.
Явление переноса носителей заряда в полупроводниках описывается
фундаментальным уравнением, получившим название
уравнения
непрерывности
. В основе этого уравнения лежит условие равновесия:
разность между числом носителей, входящих в некоторый объем и
выходящих из него, всегда равна изменению числа частиц в объеме. Такое
изменение может быть следствием, например, объемной рекомбинации
электронов и дырок в этом объеме. Динамическое равновесие возможно
лишь при малых уровнях инжекции неосновных носителей.
Вывод уравнения непрерывности для электронов в
р-области
основывается на следующих положениях. Пусть через единичную площадь
поперечного сечения в
р-области за единицу времени вследствие дрейфа и
диффузии проходит
()
x
p
n
x
pn
dx
dn
DEn
−µ−
электронов. На выходе
области толщиной ∆
х в этом же направлении через такое же сечение
проходит
()
xx
p
n
xx
pn
dx
dn
DEn
∆+
∆+
+µ
электронов. Если скорости
генерации
n
G
и рекомбинации
n
υ
носителей в единичном объеме не
равны, то уравнение непрерывности для электронов в
р-области имеет вид:
() ()
()
()
,, xn
t
xVG
dx
dn
D
dx
dn
DEnEn
p
nn
x
p
n
xx
p
n
x
p
xx
pn
∆
∂
∂
=
=∆−+
−
+µ−µ
∆+
∆+

Страницы