Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

31
Наряду с контактами рекомбинационного типа широкое применение
в интегральных транзисторах и микросхемах находят невыпрямляющие
контакты, содержащие область подлегирования n
+
, имеющую общую
границу с базовой областью n-типа с одной стороны и металлическим
контактом – с другой. Физические процессы в переходе n-n
+
отличаются
рядом особенностей. Перенос заряда через границу раздела n-n
+
осуществляется преимущественно основными носителями – электронами,
т.е. n-n
+
переход является инжектирующим контактом, что формально
отражается условием 0=
p
j , т.е. отсутствием диффузионного переноса
НН через границу контакта в диодах с тонкой базой, что соответствует
условию 0=
r
S .
В диодах с идеальным инжектирующим контактом при
1/ <<
p
Ld
неосновные носители в стационарном состоянии, соответствующем
уровню внешнего воздействия (в рассматриваемом случае - инжекции НН),
распределяются по координате равномерно, а концентрация их на границе
p-n перехода
1
p и в толще базы определяется соотношением (2.3).
На рис. 2.4,б представлена графическая интерпретация переходного
процесса. Математический анализ нестационарных процессов [1] приводит
к оценкам
() ( )
11
p
L
d
ch
L
dx
ch
pppxp
p
p
nn
≈
−
−+=
, (2.7)
а б
Рис. 2.4. Стационарные и переходные распределения
концентрации НН в тонкой базе диода
рекомбинационным (а) и инжектирующим (б)
контактами

Страницы