ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
33
также зависящей от времени. Поэтому задача получения количественных
оценок параметров переходных напряжений сводится к нахождению
зависимости
()
tp
1
. Качественная графическая интерпретация зависимости
()
tU
pn
в тонкобазовом диоде с рекомбинационными контактами при
∞→
R
представлена на рис. 2.5,а.
Диаграммы изменения концентраций неосновных носителей, тока и
напряжения на p-n переходе во времени при прямом смещении его
генератором напряжения представлены на рис. 2.5,б. Мгновенные
значения переходного тока как и в случае смещения диода генератором
тока однозначно связаны с величиной градиента концентрации НН на
границе. Идеализация рассматриваемой модели состоит в предположении,
что сопротивление цепи смещения равно сопротивлению тонкой базовой
области диода. Его малое, но максимальное значение в начальный момент
времени ограничивает значения градиента концентрации НН, плотности
тока и граничной концентрации. По мере приближения к стационарному
распределению неосновных носителей в базовой области градиент
концентрации и соответственно плотность тока j через p-n переход
а б
Рис. 2.5. Переходные процессы в диоде с тонкой базой
и рекомбинационным контактом при воздействии
имп
у
льсов п
р
ямого тока
(
а
)
и нап
р
яжения
(
б
)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
