Получение и исследования наноструктур. Вальднер В.О - 31 стр.

                              31

< 7), таких как борная кислота, борат аммония и тетраборат аммо-
ния в этиленгликоле. Пористый тип пленок может быть создан в
мало растворимых электролитах, таких как серная, фосфорная, и
щавелевая кислоты. В этом случае структура оксида может быть
представлена в виде трубчатых пор, окруженных слоем оксида
барьерного типа (барьерным слоем). Толщина барьерного слоя мо-
жет быть определена как половина расстояния между порами
(Dint=2Db где Db толщина барьерного слоя).
      Толщина пленки оксида алюминия барьерного типа опреде-
ляется, в основном, приложенным напряжением. Максимально
достижимая толщина для плёнок барьерного типа из оксида алю-
миния соответствует напряжению пробоя в диапазоне 500-700 В, и
равна примерно 1мкм. При большем напряжении происходит ди-
электрический пробой плёнки.
      С другой стороны, так как толщина пористого оксида
алюминия зависит от времени, то вследствие этого могут быть
получены более толстые пористые плёнки. Время анодирова-
ния, плотность тока и тип электролита являются важными па-
раметрами в определении толщины пористого слоя оксида
алюминия. При повышении температуры соответствующая
плотность тока также увеличивается. Но это не означает, что
более высокая больше, чем скорость образования оксида, то
пленка может исчезнуть. Фактически это приведет к электро-
химической полировке алюминия, а плотность тока приводит
только к увеличению толщины пленки.
      При возрастании плотности тока происходит также изменение
соотношения процессов растворения и образования оксида на гра-
нице раздела электролит-оксид.
      Качественно процесс формирования пористых наноструктур
оксида алюминия представлен на рисунке 8.
      На поверхности чистого алюминия с течением времени
образуется оксидная пленка барьерного типа (А), которая со-
стоит из непроводящего оксида и достаточно однородно по-
крывает поверхность алюминия. В электрохимической ячейке
электрическое поле локализуется на неоднородностях поверх-
ности оксидной пленки (Б), что приводит к растворению фор-