ВУЗ:
Составители:
53
Для определения момента окончания калибровки или окончания рабочего
преобразования Целевая программа должна следить за состоянием битов RDY0
и RDY1 специального регистра ADCSTAT путем их программного опроса или
путем обработки прерываний по завершению преобразования.
1.5. Встроенная Flash/EE-память
МК имеет встроенную многократно программируемую энергонезависи-
мую Flash-память данных и программ. Архитектура Flash-памяти имеет в осно-
ве архитектуру однотранзисторной ячейки. Подобно EEPROM, Flash-память
можно программировать в составе системы побайтно, хотя предварительно ее
необходимо стереть; причем процесс стирания выполняется поблочно. Исходя
из этих соображений, производитель в спецификациях на изделие именует
Flash-память МК Flash/EE-памятью (электрически стираемой Flash-памятью).
Для целевых приложений МК имеет два массива Flash/EE-памяти: область па-
мяти программ и область памяти данных. Массив Flash/EE-памяти программ
имеет размер 8 кбайт. Его можно программировать в параллельном режиме, ис-
пользуя стандартные программаторы сторонних производителей, а также в со-
ставе системы, используя встроенный режим последовательной загрузки. Мас-
сив Flash/EE-памяти данных имеет размер 640 байт. Эта область памяти дос-
тупна для программных записи и чтения и может быть задействована в целевой
программе как память данных общего применения. Доступ пользователя к об-
ласти Flash/EE-памяти данных осуществляется через группу из шести специ-
альных регистров, которые будут рассмотрены ниже. Область Flash/EE-памяти
данных можно программно модифицировать побайтно, хотя предварительно ее
следует стереть постранично (одна страница содержит четыре байта).
При эксплуатации МК в индустриальном диапазоне температур –40...
+85 °С производитель гарантирует надежность Flash/EE-памяти устройства, ко-
торая количественно определяется как минимальное число циклов безошибоч-
ной записи-стирания, – 100 000 циклов, а при эксплуатации в типовых условиях
(при температуре +25 °С) – 700 000 циклов. Под циклом записи-стирания в
данном случае понимается следующая последовательность операций с памя-
тью: стирание страницы, чтение-верификация страницы, программирование
(запись) байта в странице, чтение-верификация страницы.
Сохранность данных в памяти МК количественно характеризуется чис-
лом лет, в течение которых записанные в память данные сохраняются в ней не-
изменными. Производитель гарантирует сохранность данных в памяти МК при
температуре перехода (очевидно, имеется ввиду температура перехода транзи-
стора ячейки памяти) T=+55 °С в течение 100 лет.
Указанное значение допустимого числа циклов стирания-записи было по-
лучено производителем при тестировании устройства в соответствии с доку-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
