ВУЗ:
Составители:
55
Рис. 1.18. Параллельное программирование
Источник напряжения +12В, необходимый для программирования
Flash/EE-памяти, встроен в устройство.
Режимы параллельного программирования, которые доступны путем ус-
тановки комбинаций битов порта P3, показаны в табл. 1.15.
Таблица 1.15
Режимы параллельного программирования Flash/EE-памяти
Линии порта P3 Режим программирования
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
Х Х Х Х 0 0 0 Стирание Flash/EE-памяти программ, данных и
битов защиты
Х Х Х Х 0 0 1 Чтение сигнатуры/идентификатора устройства
Х Х Х 0 0 1 0 Программирование байта данных
Х Х Х 1 0 1 0 Программирование байта кода
Х Х Х 0 0 1 1 Чтение байта данных
Х Х Х 1 0 1 1 Чтение байта кода
Х Х Х Х 1 0 0 Программирование битов защиты
Х Х Х Х 1 0 1 Чтение/проверка битов защиты
Все оставшиеся коды Резервные
МК имеет три возможных режима защиты Flash/EE памяти программ.
Любой из них можно активировать независимо от других, в различной степени
ограничив тем самым доступ к содержимому встроенной памяти программ. Ус-
тановка режимов защиты производится при программировании МК в рамках
пользовательского интерфейса программы последовательного загрузчика WSD.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
