Микроконверторы фирмы Analog Devices в микропроцессорных приборных комплексах. Виноградов А.Б - 56 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

56
Режим запирания (Lock Mode)
Этот режим «запирает» код в программной памяти, запрещая выполнение
ее параллельного программирования, и разрешает ее параллельное считывание.
Режим запирания снимается в момент выполнения команды «стереть код» в
режимах последовательной загрузки или параллельного программирования.
Режим защиты (Secure Mode)
Этот режим «запирает» код в программной памяти, запрещая параллель-
ное программирование, в частности, выполнение команд верификации-чтения,
а также выполнение инструкции MOVC, если она считывается из внешней про-
граммной памяти. Последнее является попыткой считать исполняемый код из
внутренней программной памяти. Как и предыдущий, этот режим также снима-
ется в момент выполнения команды «стереть код» в режимах последовательной
загрузки или параллельного программирования.
Режим защиты от последовательной загрузки (Serial Safe Mode)
Этот режим запрещает выполнение последовательной загрузки устройст-
ва. Если при установленном режиме защиты от последовательной загрузки
производится попытка перевести устройство в режим последовательной загруз-
ки путем установки сигнала RESET при низком уровне на ножке PSEN/, МК
будет интерпретировать это как обычный сброс. Устройство не перейдет в ре-
жим последовательной загрузки, а лишь выполнит последовательность сброса.
Режим защиты от последовательной защиты может быть снят только в момент
выполнения команды «стереть код» в режиме параллельного программирова-
ния.
1.6. Операции с Flash/EE-памятью данных
Массив Flash/EE-памяти данных на кристалле имеет размер 640 байт и
организован в виде ста шестидесяти 4-битных страниц с адресами от 00h до 9Fh
(рис. 1.19). Доступ из целевой программы к Flash/EE-памяти данных осуществ-
ляется через обслуживающие ее специальные регистры. Для хранения содер-
жимого 4-х байтовой страницы памяти, к которой производилось последнее по
времени обращение, используется четыре специальных регистра данных
EDATA1 – EDATA4. Для хранения 8-битного адреса страницы, к которой про-
изводится обращение, служит специальный регистр EADRL. Для управления
доступом используется специальный регистр управления ECON, в который
можно записать одну из пяти имеющихся команд, реализующих следующие
операции с Flash/EE-памятью данных: чтение, запись, стирание и верификация.
Блок-схема регистрового интерфейса массива Flash/EE-памяти данных показана
на рис. 1.20.

Страницы