ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
(фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) основана
на использовании внутреннего фотоэффекта , который состоит в том, что
под действием излучения в полупроводниках происходит генерация пар
носителей заряда - электронов и дырок. Эти дополнительные носители
увеличивают электрическую проводимость. Такая добавочная
проводимость, обусловленная действием фотонов , получила название
фотопроводимости . У металлов явление фотопроводимости практически
отсутствует, так как у них концентрация электронов проводимости
огромна (примерно 10
22
см
-3
) и не может заметно увеличиться под
действием излучения. В некоторых приборах за счет фотогенерации
электронов и дырок возникает ЭДС, которую принято называть фото -ЭДС,
и тогда эти приборы работают как источники тока .
2.2. Фоторезисторы
Фоторезисторы представляет собой полупроводниковый резистор,
сопротивление которого изменяется под действием излучения. Принцип
устройства фоторезистора поясняется на рис. 2.1а. На диэлектрическую
пластину 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контактами 3 по
краям . Схема включения фоторезистора приведена на рис. 2.1б.
Полярность источника питания не играет роли.
Рис 2.1. Принцип устройства и схема включения фоторезистора .
Если облучения нет, то фоторезистор имеет некоторое большое
сопротивление R
т
, называемое темновым . Оно является одним из
параметров фоторезистора и составляет 10
4
- 10
7
Ом . Соответствующий
ток через фоторезистор называют темновым током. При действии
излучения с достаточной энергией фотонов в фоторезисторе происходит
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
