ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его
сопротивление уменьшается.
Для фоторезисторов применяют различные полупроводники,
имеющие нужные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее
чувствителен к инфракрасным , а сернистый кадмий - к видимым лучам.
Фоторезисторы характеризуются удельной чувствительностью , т. е .
интегральной чувствительностью , отнесенной к 1 В приложенного
напряжения:
S
уд
= I/(Ф·U),
где Ф - световой поток.
Здесь интегральная чувствительность - отношение фототока к
вызвавшему его потоку белого (немонохроматического ) света .
Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или
тысяч микроампер на вольт-люмен.
Фоторезисторы имеют линейную вольт- амперную и нелинейную
энергетическую характеристику (рис. 2.2.)
Рис. 2.2. Вольт- амперная и энергетическая характеристика фоторезистора .
К параметрам фоторезисторов кроме темнового сопротивления и
удельной чувствительности следует еще отнести максимальное
допустимое рабочее напряжение (до 600 В ), кратность изменения
сопротивления (может быть до 500), температурный коэффициент
фототока ТКФ = Δ I/(I·ΔТ). Значительная зависимость сопротивления от
температуры, характерная для полупроводников , является недостатком
фоторезисторов . Существенным недостатком надо считать также их
большую инерционность, объясняющуюся довольно большим временем
рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
