ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
Рис. 2.4. Энергетические характеристики фотодиодного режима.
Интегральная чувствительность фотодиода обычно составляет
десятки миллиампер на люмен. Она зависит от длины волны световых
лучей и имеет максимум при некоторой длине волны , различной для
разных полупроводников . Инерционность фотодиодов невелика . Они
могут работать на частотах до нескольких сотен мегагерц. А у фотодиодов
со структурой р-i-n граничные частоты повышаются до десятков гигагерц.
Рабочее напряжение у фотодиодов обычно 10 - 30 В . Темновой ток не
превышает 20 мкА для германиевых приборов и 2 мкА - для кремниевых.
Ток при освещении составляет сотни микроампер. Разработаны фотодиоды
на сложных полупроводниках, наиболее чувствительные к инфракрасному
излучению . Большинство фотодиодов изготовляется по планарной
технологии (рис. 2.5).
Имеется несколько разновидностей фотодиодов . У лавинных
фотодиодов происходит лавинное размножение носителей в n-переходе и
за счет этого в десятки раз возрастает чувствительность. В фотодиодах с
барьером Шотки имеется контакт полупроводника с металлом. Это диоды
с повышенным быстродействием. Все фотодиоды могут работать и как
генераторы ЭДС.
Рис. 2.5. Принцип устройства планарного фотодиода.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
