ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
Рис. 2.7. Схема включения фотоэлемента и зависимость фото - ЭДС от светового
потока .
Значение ЭДС может достигать нескольких десятых долей вольта .
При включении полупроводникового фотоэлемента на нагрузку возникает
фототок I
ф
= E
ф
/(R
н
+ R
i
), где R
i
- внутреннее сопротивление самого фото -
элемента .
Первые вентильные фотоэлементы из закиси меди были разработаны
еще в 1926 г. В дальнейшем особенно широко применялись селеновые фо-
тоэлементы, сделанные на основе селена р - типа . Интегральная чувстви-
тельность селеновых фотоэлементов доходила до нескольких сотен микро-
ампер на люмен. Они имели спектральную характеристику почти такую
же, как у человеческого глаза, что было удобно для различных фотометри-
ческих методов . Значительный интерес представляли сернистоталлиевые
фотоэлементы, у них чувствительность достигала тысяч микроампер на
люмен. Недостаток вентильных фотоэлементов - низкие частотные свойст-
ва и значительная зависимость интегральной чувствительности от темпе -
ратуры.
Важное значение имеют кремниевые фотоэлементы, используемые в
качестве солнечных преобразователей. Они преобразуют энергию
солнечных лучей в электрическую , и ЭДС их достигает 0,5 В . Из таких
элементов путем последовательного и параллельного соединения
создаются солнечные батареи, которые обладают сравнительно высоким
КПД (до 20%) и могут развивать мощность до нескольких киловатт.
2.5. Фототранзисторы
Значительно выше по сравнению с фотодиодами интегральная
чувствительность у фототранзисторов . Биполярный фототранзистор
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
