ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
24
представляет собой обычный транзистор, но в корпусе его сделано
прозрачное «окно», через которое световой поток может воздействовать на
область базы.
Схема включения биполярного фототранзистора типа p-n-p со
«свободной», т.е . никуда не подключенной базой приведена на рисунке
2.8.
Рис. 2.8. Структура и схема включения, выходные характеристики
фототранзистора .
Как обычно , на эмиттерном переходе напряжение прямое , а на
коллекторном - обратное . Фотоны вызывают в базе генерацию пар
носителей заряда - электронов и дырок. Они диффундируют к
коллекторному переходу, в котором происходит их разделение так же, как
и в фотодиоде. Дырки под действием поля коллекторною перехода идут из
базы в коллектор и увеличивают ток коллектора . А электроны остаются в
базе и повышают прямое напряжение эмиттерного перехода, что усиливает
инжекцию дырок в этом переходе . За счет этого дополнительно
увеличивается ток коллектора . В транзисторе типа n-p-n все происходит
аналогично .
Интегральная чувствительность у фототранзистора в десятки раз
больше, чем у фотодиода, и может достигать сотен миллиампер на люмен.
Фототранзистор со «свободной» базой имеет низкую температурную
стабильность. Для устранения этого недостатка применяют схемы
стабилизации. При этом, конечно , должен быть использован вывод базы.
На этот вывод можно также подавать постоянное напряжение смещения
или электрические сигналы и осуществлять совместное действие света и
этих сигналов.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
