ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
25
Выходные характеристики фототранзистора показаны на рис. 2.8.
Они аналогичны выходным характеристикам для включения транзистора
по схеме с общим эмиттером, но различные кривые соответствуют
различным значениям светового потока , а не тока базы. Характеристики
показывают, что при повышенном напряжении возникает электрический
пробой (штриховые участки).
Параметры фототранзисторов - интегральная чувствительность,
рабочее напряжение (10— 15 В ), темновой ток (до сотен микроампер),
рабочий ток (до десятков миллиампер), максимальная допустимая
рассеиваемая мощность (до десятков милливатт), граничная частота .
Фототранзисторы, изготовленные сплавным методом, имеют граничные
частоты до нескольких килогерц, а изготовленные диффузионным методом
(планарные ) могут работать на частотах до нескольких мегагерц.
Недостаток фототранзисторов - сравнительно высокий уровень
собственных шумов .
Помимо рассмотренного биполярного фототранзистора применяется
и составной фототранзистор, который представляет собой фототранзистор,
соединенный с обычным транзистором. Составной транзистор имеет
коэффициент усиления тока β, равный произведению коэффициентов
усиления двух транзисторов β
1
β
2
. В результате , интегральная
чувствительность у составного фототранзистора в десятки раз больше, чем
у обычного , и в тысячи раз больше, чем у фотодиодов . Высокая
чувствительность и хорошее быстродействие достигаются при сочетании
фотодиода с высокочастотным транзистором.
Кроме биполярных фототранзисторов в качестве приемников
излучения используются и полевые фототранзисторы (рис. 2.9).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
