ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
27
2.6. Фототиристоры
Структура , схема включения, вольт-амперные характеристики
фототиристора показаны на рис. 2.10. Тиристорные четырехслойные
структуры p-n-p-n (рис. 2.10) могут управляться световым потоком,
подобно тому, как триодные тиристоры управляются напряжением,
подаваемым на один из эмиттерных переходов . При действии света на
область базы p
1
в этой области генерируются электроны и дырки, которые
диффундируют к n-p-переходам.
Рис. 2.10. Структура , схема включения, вольт-амперные характеристики
фототиристора .
Электроны , попадая в область перехода П
2
, находящегося под
обратным напряжением, уменьшают его сопротивление . За счет этого
происходит перераспределение напряжения, приложенного к тиристору:
напряжение на переходе П
2
несколько уменьшается, а напряжения на
переходах П
1
и П
3
, несколько увеличиваются. Но тогда усиливается
инжекция в переходах П
1
и П
3
, к переходу П
2
приходят инжектированные
носители, его сопротивление снова уменьшается и происходит допол-
нительное перераспределение напряжения, еще больше усиливается
инжекция в переходах П
1
и П
3
, ток лавинообразно нарастает (см .
штриховые линии на рис. 2.10), т.е . тиристор отпирается.
Чем больше световой поток, действующий на тиристор, тем при
меньшем напряжении включается тиристор. Это наглядно показывают
вольт-амперные характеристики фототиристора , приведенные на рис. 2.10.
После включения на тиристоре устанавливается, как обычно , небольшое
напряжение и почти все напряжение источника Е падает на нагрузке .
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
