Физические основы и принципы работы приемников излучения в оптических системах. Волошина Т.В - 26 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2.9. Полевой фототранзистор.

На рис. рис. 2.9. показан полевой фототранзистор с каналом n-типа .

При облучении n-канала в нем и в прилегающей к нему p-области (области

затвора ) генерируются электроны и дырки. Переход между n-каналом и p-

областью находится под обратным напряжением, и поэтому под действием

поля этого перехода происходит разделение носителей заряда. В

результате повышается концентрация электронов в n-канале , уменьшается

его сопротивление и увеличивается концентрация дырок в p-области . Ток

канала (ток стока ) возрастает. Кроме того , возникает фототок в цепи

затвора . Этот ток создает падение напряжения на резисторе R

, за счет чего

уменьшается обратное напряжение на управляющем переходе канал -

затвор. Это , в свою очередь, приводит к увеличению толщины канала , а

следовательно , к дополнительному уменьшению его сопротивления и

возрастанию тока стока . Таким образом, осуществляется управление током

стока с помощью света .

Представляют интерес МДП-фототранзисторы с индуцированным

(инверсным ) каналом. Они имеют полупрозрачный затвор, через который

освещается область полупроводника под затвором. В этой области

происходит фотогенерация носителей заряда. За счет этого изменяется

значение порогового напряжения, при котором возникает индуцированный

канал, а также крутизна , являющаяся основным параметром такого

транзистора . На затвор иногда подают постоянное напряжение для

установления начального режима.