Составители:
ния, предъявляемые к микросхемам широкого применения, технико-
экономические критерии при выборе и оценке конструктивно-технологического
использования специализированных интегральных схем.
Общая характеристика технологического процесса производства полупро-
водниковых интегральных схем. Особенности технологии. Типы структур. Тех-
нологические ограничения к плотности упаковки и степени интеграции микро-
схем. Требования к кремниевым пластинам. Схема технологического процесса
изготовления полупроводниковых микросхем эпитаксиально-планарной струк-
туры со скрытым слоем: формирование диэлектрических покрытий (термиче-
ское окисление кремния, осаждение пленок, электрическая изоляция элементов
ИС), фотолитография, перспективные методы литографии: рентгено- и электро-
нолитография, диффузия (физические основы процесса, особенности техноло-
гии и оборудования), металлизация поверхности кремниевых структур, техно-
логия сборки и монтажа ИС, сборка микросхем на ленточных носителях, герме-
тизация микросхем.
Основные технологические методы, применяемые при производстве тонкоп-
леночных и толстопленочных гибридных интегральных схем (ГИС), их класси-
фикация.
Технология изготовления тонкопленочных ГИС. Схема технологического
процесса их изготовления. Подложки для тонкопленочных ГИС и основные ме-
тоды их подготовки. Методы нанесения тонких пленок, применяемое оборудо-
вание и его характеристика. Методы формирования рисунка пленочных элемен-
тов на подложке: совмещенное и раздельное нанесение пленки и формирование
рисунка. Применяемое оборудование, сравнительная характеристика различных
способов.
Технология изготовления толстопленочных ГИС. Схема технологического
процесса их изготовления. Подложки для толстопленочных ГИС и основные
методы их подготовки. Методы получения толстых пленок: трафаретная и кон-
тактная печать. Материалы для толстопленочных ГИС. Толстопленочные эле-
менты. Технологическое оборудование для изготовления толстопленочных
ГИС.
Выбор оптимального варианта технологического процесса изготовления пле-
ночных ГИС.
Отклонение и подгонка параметров пленочных элементов. Отклонения элек-
трофизических свойств пленок, их толщины и габаритных размеров. Система-
тические групповые, систематические локальные и случайные погрешности.
Способы активного контроля и корректировки технологических процессов из-
готовления элементов пленочных ГИС.
Технология сборки и монтажа ГИС. Контроль параметров подложек пленоч-
ных ИС. Методы обеспечения контактных соединений при монтаже навесных
элементов на подложке и сборке в корпус ГИС и БГИС. Методы сварки: термо-
компрессионная, контактная точечная, лазерная, электронно-лучевая. Особен-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
