Основы физики и химии полупроводников - 34 стр.

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. (3.15)
Ʉɚɤ ɢ ɫɥɟɞɨɜɚɥɨ ɨɠɢɞɚɬɶ, ɷɧɟɪɝɢɹ Ɏɟɪɦɢ ɡɚɜɢɫɢɬ ɨɬ ɤɨɧɰɟɧɬɪɚɰɢɢ
ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɩɪɨɜɨɞɢɦɨɫɬɢ ɜ ɦɟɬɚɥɥɟ.
ȼ ɤɚɱɟɫɬɜɟ ɩɪɢɦɟɪɚ ɩɨɞɫɱɢɬɚɟɦ ɱɢɫɥɟɧɧɨɟ ɡɧɚɱɟɧɢɟ ɷɧɟɪɝɢɢ Ɏɟɪɦɢ
ɞɥɹ ɦɟɞɢ. Ȼɭɞɟɦ ɫɱɢɬɚɬɶ, ɱɬɨ ɧɚ ɤɚɠɞɵɣ ɚɬɨɦ ɦɟɞɢ ɜ ɤɪɢɫɬɚɥɥɟ ɢɦɟɟɬɫɹ
ɨɞɢɧ ɷɥɟɤɬɪɨɧ ɩɪɨɜɨɞɢɦɨɫɬɢ, ɢɱɬɨ m* § m
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. Ɍɨɝɞɚ ɤɨɧɰɟɧɬɪɚɰɢɹ
ɫɜɨɛɨɞɧɵɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɜ ɦɟɞɢ, ɪɚɜɧɚɹ ɤɨɧɰɟɧɬɪɚɰɢɢ ɚɬɨɦɨɜ ɦɟɞɢ, ɛɭɞɟɬ
ɪɚɜɧɚ
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8900106,02
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(Ɂɞɟɫɶ N
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ɱɢɫɥɨ Ⱥɜɨɝɚɞɪɨ, ȡɩɥɨɬɧɨɫɬɶ ɦɟɞɢ, ɤɝ/ɦ
3
ɢȝɚɬɨɦɧɚɹ
ɦɚɫɫɚ ɦɟɞɢ, ɤɝ/ɦɨɥɶ).
ɉɨɞɫɬɚɜɢɜ ɩɨɥɭɱɟɧɧɵɣ ɪɟɡɭɥɶɬɚɬ ɜ ɜɵɪɚɠɟɧɢɟ (3.14), ɧɚɣɞɟɦ
19
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018,53
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)1062,6(
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Ⱦɠ = 7 ɷɜ.
ɋɪɟɞɧɸɸ ɷɧɟɪɝɢɸ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɩɪɨɜɨɞɢɦɨɫɬɢ ɜ ɦɟɬɚɥɥɟ ȿ ɩɪɢ 0 Ʉ
ɧɚɣɞɟɦ, ɟɫɥɢ ɫɭɦɦɚɪɧɭɸ ɷɧɟɪɝɢɸ ɜɫɟɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɜ ɧɟɦ, ɪɚɜɧɭɸ
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, (3.16)
ɩɨɞɟɥɢɦ ɧɚ ɤɨɥɢɱɟɫɬɜɨ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ N, ɧɚɣɞɟɧɧɨɟ ɪɚɧɟɟ ɩɨ ɮɨɪɦɭɥɟ (3.13)
ɮ
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. (3.17)
ɋɪɟɞɧɹɹ ɷɧɟɪɝɢɹ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɩɪɨɜɨɞɢɦɨɫɬɢ ɜ ɦɟɞɢ ɫɨɝɥɚɫɧɨ
ɮɨɪɦɭɥɟ (3.17) ɛɭɞɟɬ ɪɚɜɧɚ ɩɪɢɦɟɪɧɨ 4,2 ɷɜ.
ɉɨɥɭɱɟɧɧɵɟ ɩɪɟɞɫɬɚɜɥɟɧɢɹ ɨ ɪɚɫɩɪɟɞɟɥɟɧɢɢ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɩɪɨ-
ɜɨɞɢɦɨɫɬɢ ɜ ɦɟɬɚɥɥɚɯ ɩɨɡɜɨɥɹɸɬ ɨɛɴɹɫɧɢɬɶ ɩɨɜɟɞɟɧɢɟ ɢɯ ɩɪɢ ɢɡɦɟɧɟɧɢɢ
ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɵ.
Ɍɚɤ ɤɚɤ ɭɠɟ ɩɪɢ ɚɛɫɨɥɸɬɧɨɦ ɧɭɥɟ ɜ ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɨɣ ɡɨɧɟ ɦɟɬɚɥɥɚ
ɡɚɧɹɬɵ ɜɫɟ ɭɪɨɜɧɢ ɜɩɥɨɬɶ ɞɨ ɭɪɨɜɧɹ ɫ ɷɧɟɪɝɢɟɣ ɧɟɫɤɨɥɶɤɨ ɷɥɟɤɬɪɨɧɜɨɥɶɬ, ɚ
ɷɧɟɪɝɢɹ ɬɟɩɥɨɜɵɯ ɤɨɥɟɛɚɧɢɣ ɤɪɢɫɬɚɥɥɢɱɟɫɤɨɣ ɪɟɲɟɬɤɢ ɫɨɫɬɚɜɥɹɟɬ
ɜɟɥɢɱɢɧɭ ɧɟɫɤɨɥɶɤɨ ɫɨɬɵɯ ɞɨɥɟɣ ɷɥɟɤɬɪɨɧɜɨɥɶɬɚ, ɬɨ ɩɪɢ ɩɨɜɵɲɟɧɢɢ
ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɵ ɦɟɬɚɥɥɚ ɬɨɥɶɤɨ ɧɟɡɧɚɱɢɬɟɥɶɧɚɹ ɱɚɫɬɶ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɦɨɠɟɬ,
ɩɨɥɭɱɢɜ ɞɨɩɨɥɧɢɬɟɥɶɧɭɸ ɷɧɟɪɝɢɸ ɨɬ ɬɟɩɥɨɜɵɯ ɤɨɥɟɛɚɧɢɣ ɪɟɲɟɬɤɢ,
ɩɟɪɟɣɬɢ ɧɚ ɛɨɥɟɟ ɜɵɫɨɤɢɟ ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɟ ɭɪɨɜɧɢ. ɗɬɨ ɦɨɝɭɬ ɫɞɟɥɚɬɶ
ɷɥɟɤɬɪɨɧɵ, ɪɚɫɩɨɥɨɠɟɧɧɵɟ ɧɚ ɭɪɨɜɧɹɯ, ɨɬɫɬɨɹɳɢɯ ɨɬ ɛɥɢɠɚɣɲɢɯ
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