Основы физики и химии полупроводников - 40 стр.

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ВГУ | Воронеж

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Ƚɥɚɜɚ 4. ɋɜɨɣɫɬɜɚ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ
4.1. Ɉɛɳɢɟ ɩɪɟɞɫɬɚɜɥɟɧɢɹ ɢ ɤɥɚɫɫɢɮɢɤɚɰɢɹ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ
ɋɜɨɟ ɧɚɡɜɚɧɢɟ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɢ ɩɨɥɭɱɢɥɢ ɛɥɚɝɨɞɚɪɹ ɬɨɦɭ, ɱɬɨ ɩɨ
ɜɟɥɢɱɢɧɟ ɭɞɟɥɶɧɨɣ ɷɥɟɤɬɪɨɩɪɨɜɨɞɧɨɫɬɢ ɨɧɢ ɡɚɧɢɦɚɸɬ ɩɪɨɦɟɠɭɬɨɱɧɨɟ
ɩɨɥɨɠɟɧɢɟ ɦɟɠɞɭ ɯɨɪɨɲɨ ɩɪɨɜɨɞɹɳɢɦɢ ɷɥɟɤɬɪɢɱɟɫɤɢɣ ɬɨɤ ɦɟɬɚɥɥɚɦɢ
(ɩɪɨɜɨɞɧɢɤɚɦɢ) ɢ ɩɪɚɤɬɢɱɟɫɤɢ ɧɟ ɩɪɨɜɨɞɹɳɢɦɢ ɬɨɤ ɞɢɷɥɟɤɬɪɢɤɚɦɢ
(ɢɡɨɥɹɬɨɪɚɦɢ). ɇɚɡɜɚɧɢɟ ɷɬɨ ɞɚɥɟɤɨ ɧɟ ɢɫɱɟɪɩɵɜɚɟɬ ɜɫɟɝɨ ɦɧɨɝɨɨɛɪɚɡɢɹ
ɫɜɨɣɫɬɜ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ, ɧɚɲɟɞɲɢɯ ɡɚ ɤɨɪɨɬɤɨɟ ɜɪɟɦɹ ɲɢɪɨɤɨɟ
ɩɪɢɦɟɧɟɧɢɟ. ȼ ɧɚɫɬɨɹɳɟɟ ɜɪɟɦɹ ɧɟɬ ɬɚɤɨɣ ɨɬɪɚɫɥɢ ɧɚɪɨɞɧɨɝɨ ɯɨɡɹɣɫɬɜɚ,
ɬɚɤɨɣ ɨɛɥɚɫɬɢ ɧɚɭɤɢ ɢ ɬɟɯɧɢɤɢ, ɝɞɟ ɧɟ ɧɚɲɥɢ ɛɵ ɩɪɢɦɟɧɟɧɢɟ
ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɢ. Ʉɪɨɦɟ ɬɨɝɨ, ɢɡɭɱɟɧɢɟ ɫɜɨɣɫɬɜ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ
ɫɩɨɫɨɛɫɬɜɨɜɚɥɨ ɜɨ ɦɧɨɝɨɦ ɪɚɫɲɢɪɟɧɢɸ ɢ ɭɝɥɭɛɥɟɧɢɸ ɧɚɲɢɯ ɡɧɚɧɢɣ ɨ
ɫɜɨɣɫɬɜɚɯ ɬɜɟɪɞɵɯ ɬɟɥ ɜɨɨɛɳɟ.
ɉɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜɵɦɢ ɫɜɨɣɫɬɜɚɦɢ ɨɛɥɚɞɚɟɬ ɛɨɥɶɲɢɧɫɬɜɨ ɧɟɨɪɝɚ-
ɧɢɱɟɫɤɢɯ ɜɟɳɟɫɬɜ, ɚ ɬɚɤɠɟ ɪɹɞ ɨɪɝɚɧɢɱɟɫɤɢɯ ɫɨɟɞɢɧɟɧɢɣ. ȼɫɺ ɜɟɳɟɫɬɜɚ,
ɨɛɥɚɞɚɸɳɢɟ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜɵɦɢ ɫɜɨɣɫɬɜɚɦɢ, ɦɨɠɧɨ ɪɚɡɞɟɥɢɬɶ ɧɚ ɞɜɟ
ɝɪɭɩɩɵ: ɷɥɟɦɟɧɬɚɪɧɵɟ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɢ, ɜ ɫɨɫɬɚɜ ɤɨɬɨɪɵɯ ɜɯɨɞɹɬ ɚɬɨɦɵ
ɬɨɥɶɤɨ ɨɞɧɨɝɨ ɜɢɞɚ, ɢ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜɵɟ ɫɨɟɞɢɧɟɧɢɹ, ɫɨɫɬɨɹɳɢɟ ɢɡ ɚɬɨɦɨɜ
ɞɜɭɯ ɢ ɛɨɥɟɟ ɜɢɞɨɜ.
ȼ ɝɪɭɩɩɭ ɷɥɟɦɟɧɬɚɪɧɵɯ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɨɜ ɜɯɨɞɹɬ 12 ɯɢɦɢɱɟɫɤɢɯ
ɷɥɟɦɟɧɬɨɜ, ɤɨɬɨɪɵɟ ɨɛɪɚɡɭɸɬ ɤɨɦɩɚɤɬɧɭɸ ɝɪɭɩɩɭ, ɪɚɫɩɨɥɨɠɟɧɧɭɸ ɜ
ɫɟɪɟɞɢɧɟ ɬɚɛɥɢɰɵ Ⱦ. ɂ. Ɇɟɧɞɟɥɟɟɜɚ (ɬɚɛɥ. 4) ɜɛɥɢɡɢ ɛɨɥɶɲɨɣ ɞɢɚɝɨɧɚɥɢ.
ɐɢɮɪɵ ɫɩɪɚɜɚ ɨɬ ɫɢɦɜɨɥɚ ɯɢɦɢɱɟɫɤɨɝɨ ɷɥɟɦɟɧɬɚ ɨɛɨɡɧɚɱɚɸɬ ɲɢɪɢɧɭ
ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɵ ɜ ɤɪɢɫɬɚɥɥɟ ɫɨɨɬɜɟɬɫɬɜɭɸɳɟɝɨ ɩɪɨɫɬɨɝɨ ɜɟɳɟɫɬɜɚ.
Ɍɚɛɥɢɰɚ 4
ɒɢɪɢɧɚ ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɵ ɜ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚɯ
ɧɟɤɨɬɨɪɵɯ ɩɪɨɫɬɵɯ ɜɟɳɟɫɬɜ, ɷȼ
ɉɟɪɢɨɞɵ
Ƚɪɭɩɩɵ
II III IV V VI VII
2
4
Be
5
B 1.0
6
C 5.6
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N
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O
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Al
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Si 1.1
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P 1.5
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S 2.4
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Ge 0.7
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As 1.15
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Se 1.8
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50
Sn 0.08
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Sb 0.1
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Te 0.35
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I 1.35
6
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