Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 35 стр.

UptoLike

35
Рис. 13. (Тх) (а),РТ- (б) и Рх- (в) проекции РТх- диаграммы двух-
компонентной системы, образующей конгруэнтно-плавящееся соединение
S
AB
; гфрагмент Р—T-проекции вблизи T
max
m, AB
В точках T
K
C
и T
K
m
, начинаются штрихпунктирные линии, описываю-
щие на рис. 13, а, двухфазные конгруэнтные процессы S
АВ
= V и S
АВ
= L и
являющиеся проекциями линий взаимного касания двухфазных поверхно-
стей на плоскость Тх. Указанные процессы имеют важное технологиче-
ское значение для приготовления соединений S
AB
c заданным составом.
Составы четырех фаз (S
А
, S
AB
, L, V и S
АВ
, V, L, S
В
), участвующих в нон-
вариантных равновесиях, при эвтектических температурах Т
Q1
и Т
Q2
на рис.
13 представлены точками V
Q1
, S
Q1
А
, L
Q1
, S
Q1
и S
Q2
, V
Q2
, L
Q2
, S
Q2
B
, которые со-
единены линиями, параллельными оси составов. Из этих точек начинаются
линии, изображающие температурную зависимость состава твердых фаз и
жидкости, участвующих в эвтектическом равновесии. Состав фаз при мак-
симальной температуре плавления фазы S
АB
обозначен как V
max
, L
max
,S
max
AB
.