ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
S
AB
= V и S
AB
= L, описывающие барическую зависимость точек конгруэнт-
ной сублимации и плавления.
Глава 5. Методы выращивания монокристаллов
5.1. Чистые вещества и их классификация
Чистые материалы для полупроводниковой техники подразделяются на
3 класса: А, В, С. К классу чистоты А1 и А2 относятся вещества с содержа-
нием примесей выше 0,01 %, которые можно определить методами классиче-
ского химического анализа. К классам чистоты В3 – В6 и С7 – СЮ относятся
вещества, для которых приводятся характеристики лишь по содержанию ана-
лизируемых примесей.
В последнее время высокочистые материалы принято подразделять на
вещества эталонной чистоты (ВЭЧ) и особо чистые вещества (ОСЧ).
В первых лимитируют присутствие небольшого количества особо нежела-
тельных примесей. При этом указывают общее содержание примесей в ви-
де цифр перед индексом ВЭЧ, а также количество определяемых примесей
и их суммарное содержание. Например, обозначение 003ВЭЧ4-7 соответ-
ствует материалу с общим содержанием примесей 0,003 мас. %, с четырь-
мя определяемыми примесями, количество которых равно 10
–7
мас. %.
По сравнению с материалами класса ВЭЧ вещества ОСЧ характеризуются
большей чистотой. При этом количество определяемых примесей значи-
тельно больше, а потому общее содержание примесей практически соот-
ветствует сумме определяемых. Например, обозначение ОСЧ10-5 соответ-
ствует особо чистому веществу с десятью определяемыми примесями и с
их общим содержанием 10⎯
5
мас.% (по старой классификации В5). В мар-
кировке полупроводниковых материалов обозначают не только тип леги-
рующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практиче-
ского применения, а иногда и способ получения. Например, марка БКЭФ-
10/0,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зонной плав-
кой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфором (Ф)
с удельным сопротивлением 10 Ом-см и временем жизни неосновных но-
сителей 0,2 мкс; арсенид галлия АГДЦ 3.5×17 – дырочного типа (Д), леги-
рован цинком (Ц) с концентрацией дырок 3.5×10
17
. Фосфид галлия, при-
меняемый для фотодиодов, маркируется, например, так: ФГЭТК-К/30
[Э – электронного типа, ТК – легирован теллуром, кислородом, К –
красное свечение р-n-перехода, 30 – яркость свечения, кд/м
2
(нит)].
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
