Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

42
расплава на растущую поверхность, могут адсорбироваться в трех различ-
ных положениях (рис. 16).
Наиболее энергетически выгодным положением является положение
так называемого повторимого хода, когда атом фиксируется в трехгранном
угле, образованном ступенькой на растущей поверхности, изломом этой сту-
пеньки и материнской гранью (число степеней свободы равно нулю). При
попадании атома в двугранный угол, образованный ступенькой и материн-
ской гранью, возможно его перемещение вдоль этой ступеньки до тех пор,
пока он не попадет в положение повторимого хода (число степеней свободы
равно 1). Атом, попавший на свободную материнскую поверхность, в конеч-
ном итоге займет это же положение (число степеней свободы равно 2). Когда
грань будет застроена, для дальнейшего роста необходимо возникновение
нового двумерного зародыша. Для зарождения необходимы большие пере-
сыщения, чем для развития образовавшегося зародыша.
Рис. 16. Положения атома на растущей грани: 1 – положение по-
вторимого хода (трехгранный угол); 2 – атом в двугранном углу;
3 – атом на поверхности
Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте по-
явления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувстви-
тельным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пе-
ресыщениях ниже 25 – 50 % совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание
слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных
кристаллах рост кристаллической поверхности становится непрерывным и
осуществляется при малых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это проти-
воречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокаци-
онная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кине-
тике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дисло-
кационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реаль-

Страницы