ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
41
Рис. 14. Зависимость скорости
роста кристалла u и числа центров
кристаллизации п от переохлаждения Δt
(кривые Таммана)
Рис. 15. Вытеснение быст-
рорастущей грани bc медлен-
норастущими ab и cd
По мере увеличения переохлаждения обе величины растут, достигают
максимума и уменьшаются, приближаясь к нулю. При больших переохла-
ждениях, чрезвычайно неблагоприятных для кристаллизации, образуется
стеклообразное тело. Для роста совершенных единичных кристаллов необ-
ходимы по возможности малые переохлаждения, когда число центров не-
велико. Приведенные зависимости на рис. 14 не учитывают многих внеш-
них факторов (примеси, размер слитка, условия теплоотвода и т. п.).
Различные грани кристалла растут с различной скоростью, что опре-
деляется ретикулярной плотностью, т. е. количеством атомов на единицу
поверхности грани. При этом грани с малой ретикулярной плотностью
растут быстрее, поскольку для их достроения требуется меньше вещества.
Грани с высокой ретикулярной плотностью растут медленнее, вследствие
чего наблюдается исчезновение быстрорастущих граней. Это обусловлено
тем, что в процессе роста кристалл сохраняет равновесную форму, опреде-
ляемую законом постоянства двугранных углов (рис. 15). Грани ab и cd,
медленнорастущие (υ
1
), вытесняют быстро растущую грань
22 1
(; )bс υυ>υ
Таким образом, форма кристалла должна определяться
наиболее медленнорастущими гранями.
Механизм роста кристалла во многом определяется микрорельефом
поверхностей, которые можно подразделить на атомно-гладкие. и ступен-
чатые. Образовавшийся на атомно-гладкой грани двумерный зародыш рас-
тет тангенциально (по поверхности). При этом атомы, поступающие из
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
