Основы полупроводниковой электроники. Яровой Г.П - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

121
ляются токами диодов, сами диоды считаются идеальными, а
их характеристики имеют вид
)1(
0
−=
kTqU
FF
EB
eII , (6.7)
)1(
0
−=
kTqU
RR
KB
eII , (6.8)
где I
F0
и I
R0
− соответственно токи насыщения диодов, сме-
щенных нормально в прямом и обратном направлениях.
Внешние токи транзистора запишем следующим образом:
,)1()1(
,
,
RIFNB
FNRK
RIFE
III
III
III
αα
α
α
−−−−=
−=
−=
(6.9)
где α
N
и
I
α− соответственно прямой и инверсный коэффици-
енты усиления транзистора в схеме с общей базой. Приведен-
ные выше формулы устанавливают соотношения между
внешними токами I
E
и I
K
и приложенными к переходам на-
пряжениями U
EB
и U
KB
. Простейшая модель содержит четыре
параметра: I
R0
, I
F0
, α
N
и
I
α .
С помощью формул (6.8) и (6.9) для эмиттерного и кол-
лекторного токов можно записать такие общие выражения:
).1()1(
),1()1(
2221
1211
−+−=
−+−=
kTqUkTqU
K
kTqUkTqU
E
KBEB
KBEB
eaeaI
eaeaI
(6.10)
Из сравнения выражений (6.9) и (6.10) вытекает:
.,
,,
022021
012011
RFN
RIF
IaIa
IaIa
=−=
−==
α
α
(6.11)
Из условия взаимности характеристик четырехполюсника
(a
12
= a
21
) вытекает, что
00 FNRI
II αα= . Следовательно, для
основной модели Эберса−Молла требуется знание только
трех
параметров.
122
7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
7.1. Эффект поля и поверхностная проводимость
Рассмотрим энергетическую диаграмму структуры ме-
талл−диэлектрик−полупроводник (МДП). В случае, когда в
качестве диэлектрика используется окисел, структура носит
название МОП. Предположим вначале для простоты, что по-
верхностное состояние на границе полупроводника и диэлек-
трика отсутствует и что работы выхода металла и полупро-
водника равны, т.е. контактная разность потенциалов между
ними равна нулю.
В результате можно считать, что до включения внешнего
направления энергетическая зонная диаграмма полупровод-
ника у поверхности не искривлена и имеет вид, показанный
на рис. 7.1, а.
a б в
Рис. 7.1. Энергетическая диаграмма МДП структуры без
внешнего напряжения (а) и с внешним напряжени-
ем (б, в)
При приложении к электроду отрицательного напряжения
на границе полупроводника и диэлектрика появляется инду-
цированный положительный заряд, который возникает из-за
обеднения приповерхностной области полупроводника. Зоны

Страницы