ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
155
4.5. Соотношения Эйнштейна……………………………… 72
4.6. Электрические поля в полупроводниках……………... 73
4.7. Пространственный заряд……………………………… 76
5.ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
5.1. Основные уравнения для анализа работы
полупроводниковых приборов…………..…………… 78
5.2. Электронно-дырочный переход………………………. 80
5.3. Диаграмма энергетических зон равновесного
p−n- перехода……………………………………………. 86
5.4. Инжекция и экстракция неосновных носителей…….. 94
5.5. Вольт-амперная характеристика p−n-перехода………. 98
5.6. Диффузионная емкость p−n-перехода…………………. 102
5.7. Пробой p−n-перехода…………………………………… 106
6. БИПОЛОЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
6.1. Принцип действия биполярных транзисторов………. 114
6.2. Схемы включения транзисторов……………………… 119
6.3. Модель Эберса-Молла………………………………… 120
7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
7.1. Эффект поля и поверхностная проводимость……….. 122
7.2. Полевой транзистор с изолированным затвором……. 123
7.3. Полевой транзистор с p−n-переходом………………… 128
8. ПРИБОРЫ НА ЭФФЕКТАХ СИЛЬНОГО
ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
8.1. Туннельные диоды…………………………………….. 130
8.2. Диоды Ганна…………………………………………… 132
9.ОСНОВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
9.1. Преобразование световых сигналов в электрические 138
9.1.1. Однородный полупроводник………………………..... 138
9.1.2. Фотоэффект в p−n-переходе……………………….. 141
9.2. Преобразование электрической энергии в световую…. 147
9.2.1. Светодиоды…………………………………………… 147
9.2.2. Полупроводниковые лазеры…………………………. 148
Библиографический список………………………………….. 153
