ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
153
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Гусев М.Б., Дубинин Е.М. Физические основы твердо-
тельной электроники. – М.: Изд-во МГУ, 1986.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупро-
водниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1981.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. –
М.: Мир, 1984.
4. Ржевкин К.С. Физические принципы действия полу-
про-водниковых приборов. – М.: Изд-во МГУ, 1986.
5. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электрони-
ка. – М.: Высшая школа, 1986.
6. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектрони-
ка. – М.: Высшая школа, 1991.
7. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника. – Ростов-на-
Дону: Феникс, 2001.
154
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие……………………………………………………. 3
Введение………………………………………………………… 4
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1. Волновое уравнение Шредингера…………………….. 6
1.2. Движение свободной частицы………………………… 8
1.3. Квантование частицы, движущейся в потенциальной
яме………………………………………………………. 12
1.4. Система из двух потенциальных ям………………….. 15
1.5. Движение частицы в одномерном периодическом
поле……………………………………………………... 17
1.6. Энергетические зоны твердого тела………………….. 20
2. СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ
2.1. Кристаллическая решетка твердого тела…………….. 24
2.2. Типы связей в кристаллах……………………………… 27
2.3. Ковалентная связь……………………………………… 30
2.4. Дефекты кристаллической структуры………………… 32
3. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1. Движение электронов в кристалле. Понятие об
эффективной массе…………………………………..… 36
3.2. Плотность состояний…………………………………... 37
3.3. Распределения Больцмана, Ферми и Бозе−Эйнштейна
40
3.4. Собственные полупроводники…………………………. 43
3.5. Электроны и дырки. Доноры и акцепторы……………. 45
3.6. Концентрация носителей заряда в полупроводниках… 53
3.7. Концентрация носителей и положение уровня
Ферми в собственном полупроводнике……………….. 56
3.8. Концентрация носителей и положение уровня
Ферми в примесном полупроводнике……………..….. 57
4. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
4.1. Электрическая проводимость и подвижность
электронов……………………………………………… 60
4.2. Неравновесные носители заряда в полупроводниках.. 63
4.3. Процессы генерации и рекомбинации………………... 65
4.4. Диффузия……………………………………………….. 70
