Основы полупроводниковой электроники. Яровой Г.П - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

137
вершается к моменту времени
3
t и сопровождается увеличе-
нием тока от
min
I
до первоначального значения
0
I .
Рис. 8.5. Характер изменения силы тока в цепи с полупровод-
ни-ком при образовании и распаде электростатического до-
мена
Эффект возникновения колебаний тока в цепи полупро-
водника, связанный с прохождением домена, впервые экспе-
риментально наблюдался на GaAsn − Дж.Ганном. Он полу-
чил название эффект Ганна. Приборы, основанные на этом
эффекте, называют генераторами Ганна или диодами Ганна.
Эффект Ганна был открыт в 1963 году. В 1966 году был
создан промышленный образец генератора СВЧ-колебаний с
рабочей частотой порядка 3 Ггц и выходной мощностью 100
вт в импульсном режиме.
138
9. ОСНОВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
9.1. Преобразование световых сигналов в электриче-
ские
9.1.1. Однородный полупроводник
При освещении полупроводника светом в нем происходит
генерация электронно-дырочных пар, что приводит к увели-
чению концентрации подвижных носителей заряда, т.е. про-
водимости полупроводника. Генерация носителей под дейст-
вием света возникает за счет того, что электроны переходят
либо из валентной зоны в зону проводимости (рис.9.1, пере-
ход 1), либо с примесных уровней в ту же зону проводимости
(переход 2).
Рис. 9.1. Переходы, приводящие к появлению свобод-
ных носителей в зоне проводимости под действием све-
та: 1 – переход зона-зона, 2 – переход примесный уро-
вень-зона проводимости, 3 – переход валентная зона-
примесный уровень
Возможны также переходы электронов из валентной зоны
на примесные уровни (переход 3). В первом случае в равной
степени генерируются электроны в зону проводимости и

Страницы