Волновая и квантовая оптика. Задера С.Я - 95 стр.

света также в основном связано с переносом электронов из валентной зоны в
зону проводимости и образованием пар разноименных носителей тока –
электронов проводимости и дырок. Однако характер проводимости для
электронных (n – типа) и дырочных (p – типа) примесных полупроводников
различен.
      В электроном полупроводнике имеются примесные донорные уровни
энергии а, которые находятся вблизи «дна» зоны проводимости и заняты
электронами (рис. 53, б). В процессе образования пар положительные дырки
рекомбинируют       с    электронами         донорной      примеси.   Поэтому
фотопроводимость n – полупроводника имеет чисто электронный характер.
      В дырочном полупроводнике поглощение фотонов вызывает переход
части электронов из валентной зоны в зону проводимости, а оттуда – на
вакантные акцепторные примесные уровни с, расположенные вблизи
верхнего края валентной зоны (рис. 53, в).
      При этом в валентной зоне образуются «положительные дырки», так
что фотопроводимость p – полупроводника является чисто дырочной.


      12.3 Вентильный фотоэффект (фотоэффект в запирающем слое)


      Особый практический интерес представляет вентильный фотоэффект
(фотоэффект    в    запирающем     слое),      состоящий     в   возникновении
электродвижущей силы вследствие внутреннего фотоэффекта вблизи
поверхности контакта между металлом и полупроводником, обладающим
односторонней проводимостью. Внутренний фотоэффект в полупроводнике
вызывает нарушение равновесного распределения носителей тока в области
контакта и приводит к изменению контактной разности потенциалов по
сравнению с равновесной, т.е. к возникновению фотоэлектродвижущей силы.




                                    - 95 -