Волновая и квантовая оптика. Задера С.Я - 97 стр.

быстроизменяющихся световых потоков. При частоте модуляции в несколько
килогерц   обычно        уже    невозможно       использование     газонаполненных
фотоэлементов.
      Существенный прогресс в фотоэлектрических измерениях достигнут в
40 50 – е годы, когда в практику начали широко внедряться фотоэлектронные
умножители (ФЭУ). Идея создания таких приборов была выдвинута
исследователями еще в 20 – е годы 20-го века.
      Для усиления фототока применяются фотоэлектронные умножители, в
которых    наряду    с    фотоэффектом          используется    явление    вторичной
электронной эмиссии.
      Фотоэлементы         с      внутренним        фотоэффектом,         называемые
полупроводниковыми             фотоэлементами        или       фотосопротивлениями
(фоторезисторами),        обладают       гораздо        большей       интегральной
чувствительностью, чем вакуумные. Для их изготовления используются
PbS , CdS , PbSe и некоторые другие полупроводники. Если фотокатоды
вакуумных фотоэлементов и фотоэлектронных умножителей имеют красную
границу фотоэффекта не выше 1,1 мкм, то применение фотосопротивлений
позволяет производить измерения в далекой инфракрасной области спектра
(3 – 4 мкм), а так же в областях рентгеновского и гамма – излучений. Кроме
того, они малогабаритны и имеют низкое напряжение питания. Недостаток
фотосопротивлений – их заметная инерционность, поэтому они непригодны
для регистрации быстропеременных световых потоков.
      Фотоэлементы с вентильным фотоэффектом, называемые вентильными
фотоэлементами (фотоэлементами с запирающим слоем), обладая, подобно
элементам с внешним фотоэффектом, строгой пропорциональностью
фототока интенсивности излучения, имеют большую по сравнению с ними
интегральную чувствительность (примерно 2 – 30 мА/лм) и не нуждаются во
внешнем источнике ЭДС. К числу вентильных фотоэлементов относятся
германиевые, кремниевые, селеновые, сернисто-серебряные.


                                       - 97 -