Волновая и квантовая оптика. Задера С.Я - 98 стр.

UptoLike

Рубрика: 

- 98 -
Кремниевые и другие фотоэлементы применяются для создания
солнечных батарей, непосредственно преобразующих световую энергию в
электрическую. Эти батареи уже в течении многих лет работают на
космических спутниках и кораблях. КПД этих батарей составляет 10%.
Фотодиод представляет собой полупроводниковую пластинку, внутри
которой имеются области электронной (
n - область) и дырочной (
p
-
область) проводимости, разделенные электронно-дырочным переходом (рис.
54).
Рис. 54. Образование носителей заряда в
p
n
переходе при освещении его светом
Из полупроводника n - типа электроны диффундируют в
полупроводник
p
- типа. И наоборот: дырки из области
p
- типа проникают
в область
n - типа. На границе раздела полупроводников n - и
p
- типа
образуется электрическое поле. При освещении фотоэлемента в
p
- n
переходе происходит образование новых носителей заряда. Электрическое
поле, существующее в
p
- n переходе, производит разделение этих носителей
заряда. При этом электроны попадают в
n - область, а дырки, наоборот, в
p
- область. В результате накопления электронов в
n - области и дырок в
p
-
области в
p
- n переходе возникает дополнительная разность потенциалов
фото ЭДС.
Для преобразования солнечной энергии в электрическую, питающую
установки космических аппаратов, используют кремниевые фотоэлементы.
(рис. 55). Электронно-дырочный переход в монокристаллической пластине
       Кремниевые и другие фотоэлементы применяются для создания
солнечных батарей, непосредственно преобразующих световую энергию в
электрическую. Эти батареи уже в течении многих лет работают на
космических спутниках и кораблях. КПД этих батарей составляет 10%.
       Фотодиод представляет собой полупроводниковую пластинку, внутри
которой имеются области электронной ( n - область) и дырочной ( p -
область) проводимости, разделенные электронно-дырочным переходом (рис.
54).




       Рис. 54. Образование носителей заряда в p − n переходе при освещении его светом

       Из   полупроводника        n   -     типа   электроны     диффундируют        в
полупроводник p - типа. И наоборот: дырки из области p - типа проникают
в область n - типа. На границе раздела полупроводников n - и p - типа
образуется электрическое поле. При освещении фотоэлемента в                      p -n
переходе происходит образование новых носителей заряда. Электрическое
поле, существующее в p - n переходе, производит разделение этих носителей
заряда. При этом электроны попадают в n - область, а дырки, наоборот, в p
- область. В результате накопления электронов в n - области и дырок в p -
области в p - n переходе возникает дополнительная разность потенциалов –
фото ЭДС.
       Для преобразования солнечной энергии в электрическую, питающую
установки космических аппаратов, используют кремниевые фотоэлементы.
(рис. 55). Электронно-дырочный переход в монокристаллической пластине


                                          - 98 -