Составители:
Рубрика:
нанести монослой Cs
+
или BaO, то вероятность туннелирования будет
высока.
По спектрам чувствительности ФЭУ, представленным на рис.
4.2.9, стр. 32, можно судить о том, насколько разработчикам удалось
оптимизировать строение поверхности фотокатода. В некоторых случа-
ях, особенно для массивных, а не полупрозрачных катодов, спектраль-
ная характеристика почти П-образна.
4.3.3 Вторичноэлектронная эмиссия (ВЭЭ)
По сути, вторичноэлектронная от фото-
электронной эмиссии отличается только спо-
собом возбуждения электронов твердого тела,
но во многих аспектах это отличие оказывуа-
ется принципиальным. В ФЭУ ускоряющее
напряжение между парой соседних динодов
не превышает 200 В, так что мы не будем рас-
сматривать особенности взаимодействия с
поверхностью более "горячих" электронов.
σ
E
0
1
E
max
σ
max
Рабочая область
Электрон, в отличие от фотона, имеет
заряд и потому гораздо более эффективно
взаимодействует с веществом. Глубина его
проникновения в твердое тело не превышает
двух монослоев (менее 1 нм), тогда как коэф-
фициент поглощения света – величина поряд-
ка 10
5
см
-1
, т.е. глубина проникновения света – 100 нм. Все процессы,
разыгрывающиеся при электронном ударе, происходят в непосредст-
венной близости от поверхности, что резко увеличивает вероятность
выхода в вакуум возбуждаемых вторичных электронов.
Рис. 4.3.5
Характер зависимости
коэффициента вторич-
ной эмиссии
σ от энер-
гии падающих
электронов Е
0
.
Второй существенный момент – энергия возбуждения. Обычно
она составляет 50÷150 эВ, что много больше энергий фотонов (1÷10 эВ)
и много больше таких величин, как работа выхода и ширина запрещен-
ной зоны полупроводников. Отсюда - возможность возбуждения до дос-
таточно больших энергий сразу нескольких электронов ("пачка") и
эмиссия нескольких электронов. Отношение числа эмитируемых "вто-
ричных" электронов к числу упавших "первичных" называется
КОЭФФИЦИЕНТОМ ВТОРИЧНОЙ ЭМИССИИ и обычно обозначается σ. Ве-
личина σ зависит от энергии первичных электронов. Характер этой за-
висимости представлен на рис.
4.3.5.
52
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »