Составители:
Рубрика:
При малой энергии падающих электронов σ меньше единицы, но
в максимуме может достигать величин 6÷7 и более. Если эмиттер имеет
малое или отрицательное электронное сродство (
E
a
< 0, т.е. дно зоны
проводимости выше нулевого уровня и выйти может любой электрон с-
зоны), можно получить и σ = 20÷30 (например, на первом диноде в
ФЭУ-130). Спад при дальнейшем увеличении энергии объясняется тем,
что становятся возможными возбуждения более глубоких, не валентных
электронов, так что появляется мощный конкурирующий канал дисси-
пации энергии, не дающий "горячих" электронов, способных выйти в
вакуум.
В динодной системе ФЭУ вторичное умножение числа электронов
происходит на каждом диноде, так что общий коэффициент умножения
К ≈ σ
n
. При разработке ФЭУ число динодов и рабочее напряжение вы-
бираются так, чтобы получить желаемый К, в большинстве случаев это
10
5
÷10
8
. При σ = 3,5 и n = 13 получим К = 1,2⋅10
7
. Изменение напряже-
ния питания ФЭУ приводит к изменению энергии первичных электро-
нов на динодах и соответствующему изменению коэффициента
умножения всей системы. Можно считать, что в ФЭУ зависимость K от
напряжения примерно линейна.
4.3.4 Автоэлектронная эмиссия
Рис. 4.3.6 Ход потенциальной энергии элек-
трона близ поверхности полупроводника
в сильном вытягивающем электриче-
ском поле.
v-зона
d
x
(-eV)
Ф
В отличие от предыдущих, этот вид эмиссии не требует возбуж-
дения электронов, поэтому ее еще называют "холодная" эмиссия.
На рис.
4.3.6 представлен ход потенциала (вернее – потенциаль-
ной энергии электрона,
U = -eV) близ поверхности, к которой приложе-
но вытягивающее электрическое поле. Кристаллу соответствуют
координаты
x < 0.
В точке
x = d в вакууме потенциальная энергия электронов равна
энергии верхних валентных электронов кристалла. В том случае, если
ширина потенциального барьера, который нужно преодолеть для пере-
53
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
