Составители:
Рубрика:
ие дефектов и связанных с ними состояний не менее важно, чем рас-
смотрение србственных состояний кристалла.
Дефекты могут иметь различную природу. В основном, следует рас-
сматривать как существенно различные:
•
точечные дефекты структуры – дефекты Френкеля и Шоттки,
атомы в междуузлиях, (см. рис.
5.6.6 и 5.6.7),
•
точечные дефекты – химические примеси;
•
линейные (одномерные) дефекты, – дислокации, см. рис. 5.6.8;
•
двумерные дефекты, – плоскости излома, скольжения и, конечно,
поверхность.
В разделе
5.7.2 показано, что даже при небольших концентрациях
они могут существенно повлиять на концентрацию носителей тока.
В линейных и двумерных дефектах возможно образование состоя-
ний, делокализованных в пространстве. Соответственно, одно- или дву-
мерных. Их рассмотрение затруднительно и мы ограничимся
предположением, что имеются только точечниые дефекты, тем более,
что человечество уже научилось выращивать достаточно большие кри-
сталлы, в которых нет или почти нет пространственно протяженных
дефектных состояний.
Не вдаваясь в детали строения возможных дефектов кристалла, бу-
дем характеризовать связанные с ними локальные состояния парамет-
рами, существенными для нашего рассмотрения. В первую очередь это:
- тип дефекта (донорный, акцепторный);
- концентрация;
- перечень возможных зарядовых состояний примеси и энергии
соответствующих им основного и возбужденных уровней;
- сечения захвата носителей дефектом в различных зарядовых и -
возбужденных состояниях.
Резюмировать сказанное можно следующим образом, добавив к то-
му же выводы, которые мы здесь не пытались обосновывать:
1. Примеси и иные дефекты кристаллической решетки дают в энер-
гетическом спектре полупроводника
локальные уровни в запрещенной
зоне:
Термин
локальные означает, что локальны реальные точки кри-
сталла, в которых электрон может иметь данную энергию. Его состоя-
ние в этом случае не описывается бегущей волной
(5.4.5) и, за
102
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 100
- 101
- 102
- 103
- 104
- …
- следующая ›
- последняя »
