Составители:
Рубрика:
будет знать величины приведенных масс и (или) подвижность и плот-
ность состояний. Но кроме того при наличии любого внешнего воздей-
ствия важно и распределение его влияния по глубине образца. Поэтому
энергетическую структуру будет удобнее изображать так, как показано
на рис.
5.6.5.
D
c
D
v
E
k
E
Е
с
Ф
ph
E
v
0
v-зона
с-зона
x
E
Δ
E
g
A
F
Ф
T
а б в
Рис. 5.6.5.
Упрощенное изображение энергетической диаграммы полупро-
водника: а – в
k-пространстве; б – в координатном пространстве;
в – зависимость плотности состояний в зонах D
c
и D
v
от энергии.
Здесь показаны 3 варианта отображения основных параметров стру-
куры. Во всех случаях нас будут интересовать только состояния близ
потолка валентной зоны и дна зоны проводимости. Отображение зави-
симости
E(k) показывает относительное расположение экстремумов v- и
с-зон, а также – стуктуру v-зоны. В данном случае она состоит из двух
подзон с разными эффективными массами.
В бльшинстве случаев мы будем рассматривать тепловое возбужде-
ние носителей, так что зависимость
E(k) будет не принципиальна, но
принципиален ход потенциала в пространстве. Тогда удобна схема рис.
5.6.5б, где показана поверхность кристалла и основные энергетические
параметры:
– потенциальная энергия электронов в вакууме принята за ноль,
–
E
c
и E
v
– энергии краев зон,
–
F – уровень Ферми,
– Δ
Е
g
– ширина запрещенной зоны,
–
А – величина сродства кристалла к электрону,
–
Ф
ph
и Ф
T
– фото- и термоэлектрическая работы выхода.
На рис.
5.6.5в отображена та же шкала энергий электронов, но по
оси абсцисс отложены плотности состояний.
89
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 87
- 88
- 89
- 90
- 91
- …
- следующая ›
- последняя »
