Составители:
Рубрика:
На поверхности легко могут быть образованы и локальные центры с
почти любыми донорно-акцепторными свойствами, и двумерные, по-
верхностные энергетические зоны. Накапливая избыточный заряд, по-
верхность может иметь потенциал, отличный от потенциала объема. В
этом случае в объеме полупроводника возникает электрическое поле,
влияющее в том числе – на объемную проводимость в приповерхност-
ном слое.
Так что, работая с полупроводниками всегда нужно тщательно кон-
тролировать состояние поверхности. Мы же будем полагать, что кри-
сталл находится в идеальном вакууме и никаких активных
адсорбционных комплексов нет. Тем не менее, специфические состоя-
ния есть и на чистой поверхности, причем не только на особых точках,
неровностях, но и на атомно гладкой поверхности. Они возникают как
следствие скачка потенциала на границе вакуум/кристалл.
E
E
x
0
Рис. 5.6.11
. Ход потенциала близ
поверхности раздела фаз
вакуум/кристалл
Рассмотрим состояния электронов, движущихся по нормали к атом-
но гладкой поверхности. На рис.
5.6.11 ось x направлена вглубь кри-
сталла, ноль – на поверхности. Энергию будем отсчитывать от уровня
потенциальной энергии электрона в вакууме. Нас будут интересовать
только связанные состояния, с энергией
E < 0.
В левом полупространстве – вакуум, здесь кинетическая энергия
отрицательна и волновой вектор электрона
2m
ki
=
E
– величина
чисто мнимая. В правом полупространстве волновой вектор либо дей-
ствительный, если энергии
E соответствует состояние в какой-либо
разрешенной зоне, либо комплексный, k = k
1
+ ik
2
, если уровень E
лежит в запрещенной зоне.
Волновую функцию поверхностного состояния мы можем постро-
ить, сшив при
x = 0 волновые функции падающих и отраженных волн. В
вакууме, при
x < 0, это плоские волны де Бройля:
98
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 96
- 97
- 98
- 99
- 100
- …
- следующая ›
- последняя »
