Цифровая электроника. Захаров В.И - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

11
Микросхемы Серии K537
Статические ОЗУ на МОП -транзисторах, несмотря на среднее
быстродействие , получили широкое распространение , что объясняется,
существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле , чем у
биполярных ОЗУ . Наиболее развитым функциональным составом из серий
КМДП -микросхем обладает серия К537. Функциональный ряд серии включает
более 15 типов микросхем, отличающихся информационной ёмкостью ,
организацией, быстродействием, уровнем потребляемой мощности . Имеются
отличия и в системе управляющих сигналов и в конструктивном оформлении.
Общими свойствами микросхем серии К537 являются: единое напряжение
питания +5В , ТТЛ-уровни входных и выходных сигналов, выход с тремя
состояниями , высокая помехоустойчивость, допустимая значительная ёмкость
нагрузки (200пФ и более), небольшое энергопотребление , причем при хранении
почти на три порядка меньше, чем при обращении, способность сохранять
записанную информацию при пониженном до 2… 3 В напряжении питания.
В устройствах памяти на микросхемах серии К537 для снижения
потребляемой мощности следует предусмотреть возможность автоматического
переключения питания микросхем в режиме хранения с основного источника
+5В на маломощный буферный источник напряжения, который обеспечивает
питание только микросхем ОЗУ на уровне , достаточном для сохранения
информации. Для микросхем К537РУ 1. КР537РУ 8 допускается снижать
напряжение до 3В, для микросхем КР 537РУ 6, К537РУ 9 - до 3,3В , для
микросхем КР 537РУ 4, КР 537РУ 13, К537РУ 14 - до 2,2В . Наименьшую
мощность от низковольтного источника питания потребляют микросхемы
КР537РУ 3А (11 мкВт), КР 537РУ 6А (115 мкВт), К537РУ 13 и К537РУ 14 (100
мкВт).
Микросхемы на МДП -транзисторах любого типа чувствительны к
воздействию статического электричества из-за высокого входного
сопротивления. Даже кратковременное повышение входного напряжения с
недопустимо высоким уровнем может вызвать электрический пробой тонкого
слоя подзатворного диэлектрика . Для защиты от вредного воздействия
перенапряжения все входы микросхем защищают диодно -резистивными
цепями , встроенными внутрь кристалла .
Для многих типов КМДП -микросхем, и в частности для микросхем серии
К537, существует опасность теплового пробоя p-n переходов в кристалле из-за
“тиристорного эффекта”. Сущность этого явления заключается в том, что при
повышении напряжения в шине питания до 11... 12В из-за бросков тока при
включении и влияния индуктивностей шин, а также при превышении входным
сигналом напряжения питания внутри кристалла активизируются паразитные
биполярные p-n p-n структуры и из-за наличия положительной обратной связи
по цепям токов утечки может появиться эффект неуправляемого нарастания
тока стока , близкий по механизму к аналогичному явлению в тиристорах в
момент их переключения. Поскольку в КМДП -структурах отсутствуют
токоограничивающие резисторы нагрузки , то нарастание тока приводит к

Страницы