Цифровая электроника. Захаров В.И - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
развитию теплового пробоя в кристалле и , как следствие , к неисправности
микросхемы.
С повышением уровня интеграции микросхем опасность возникновения в
них тиристорного эффекта увеличивается. В некоторых типах микросхем
рассмотренный эффект практически не наблюдается. В структурах этих
микросхем сформированы так называемые “охранные кольца”, шунтирующие
паразитные транзисторы и за счет этого устраняющие тиристорный эффект.
Для тех микросхем, у которых защита отсутствует, необходимо
предусматривать конструктивные меры предупреждения тиристорного
эффекта : снижать индуктивность шин питания, не допускать близкого
расположения к сильноточным микросхемам и т.д.
При применении микросхем памяти серии К537 необходимо соблюдать
порядок включения питания и подачи входных сигналов: вначале должно быть
включено напряжение питания. При выключении блока ОЗУ следует снять
входные сигналы (адресные , управляющие и информационные ) и затем
отключить источник напряжения питания. Необходимо обеспечить также
выполнение условия, по которому напряжение сигналов не должно превышать
напряжения питания микросхемы.
Микросхемы серии К537 работают в режимах записи , считывания и
хранения. Сравнение динамических параметров микросхем показывает, что в
серии К537 наибольшим быстродействием обладают микросхемы КР537РУ 10 и
К537РУ 14. Микросхемы К537РУ 14 и КР 537РУ 13 являются асинхронными . За
этим исключением все микросхемы серии К537 являются тактируемыми : в
режимах записи и считывания необходимо сигнал CS подавать импульсом, а
сигнал W/R может иметь форму уровня напряжения или импульса .
Микросхемы KP537РУ 8 и КР537РУ 10 имеют дополнительный
управляющий сигнал ОЕ (Разрешение по выходу): при подаче этого сигнала
одновременно с сигналом CS отсчет времени появления сигнала ведется от
отрицательного перепада сигнала CS=ОЕ. Существует возможность
стробирования выходной информации сигналом ОЕ, подаваемым с некоторой
задержкой относительно сигнала CS. В этом случае при ОЕ=1, т.е . до момента
подачи этого сигнала , выходы находятся в третьем состоянии даже при CS=0.
Только в момент поступления сигнала ОЕ выходы переходят в функциональное
состояние .
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К537.
Максимальное напряжение питания +6В
Максимальное напряжение на входе +6В
Максимальное напряжение на выходе +6В
Максимальная емкость нагрузки 200 пФ
Обозначения электрических параметров.
Р
max
- максимальная потребляемая мощность в режиме обращения;
t
в.а.
- время выборки адреса ;
t
ц.зп.(сч )
- время цикла записи (считывания).

Страницы