ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
Для заметок
3
СОДЕРЖАНИЕ
1. Цель и задачи индивидуального задания…………………………4
2. Основные сведения о физических явлениях и процессах в
полупроводниковых структурах……………………………………..4
2.1. Вводные замечания…………………………………………..4
2.2. Основные понятия и уравнения твердотельной
электроники……………………………………………………….5
2.3. Электронно-дырочный переход…………………………….7
2.4. Структура
металл-полупроводник…………………………11
2.5. Структура металл-диэлектрик-полупроводник…………...14
3. Состав индивидуального задания…………………………….......16
4. Указания по составлению пояснительной записки………….......17
4.1. Введение……………………………………………………...17
4.2. Основная часть……………………………………………....17
4.3. Заключение………………………………………………......20
4.4. Библиографический список и требования к нему………..21
Приложения………………………………………………………...22
I. Варианты индивидуальных заданий………………………….......22
II. Темы рефератов……………………………………………………31
III. Пример оформления титульного листа……………………........32
IV. Свойства кремния, германия и двуокиси
кремния…………….……...............................................................33
