Физические основы микроэлектроники. Захаров А.Г - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

5
pnn
2
i
⋅=
32
Интегральные микросхемы, являющиеся элементной базой
микроэлектроники, предназначены для реализации подавляющего
большинства аппаратурных функций. Их элементы, аналогичные
обычным радиодеталям и приборам, выполнены и объединены внутри
или на поверхности общей подложки, электрически соединены между
собой и заключены в единый корпус. Все или часть
элементов
создаются в едином технологическом процессе с использованием
групповых методов изготовления.
III. ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ТИТУЛЬНОГО ЛИСТА
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Элементы полупроводниковой интегральной микросхемы –
диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы – представляют собой
совокупность различных полупроводниковых структур.
Кафедра физики
К таким полупроводниковым структурам относятся: контакты
металл-полупроводник, электронно-дырочные переходы, структуры
металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Физические явления и
процессы в таких полупроводниковых структурах хорошо
изучены и
детально рассмотрены в научной и технической литературе.
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к индивидуальному заданию
по курсу “Физические основы микроэлектроники”
Тема задания
2.2. Основные понятия и уравнения твердотельной
электроники
“
” Выполнил студент группы
Температурный потенциал
(дата)
ϕ
Т
=kT/q,
(подпись) (фамилия, инициалы)
где k – постоянная Больцмана (k=1,38⋅10
-23
Дж/К); T – абсолютная
температура (при температуре T=300К температурный потенциал
имеет значение
ϕ
T
=0,026В, или 26мВ), q – заряд электрона
(q=1,6⋅10
-19
Кл).
“
” Проверил
(дата) (должность)
Закон действующих масс
(подпись) (фамилия, инициалы)
,
где n – концентрация электронов; p – концентрация дырок;
n
i
– концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Закон справедлив в случае термодинамического равновесия как для
собственных, так и для примесных полупроводников.
Потенциал, характеризующий уровень Ферми в полупроводнике,
равен
Таганрог
ϕ
F
=
ϕ
i
−
ϕ
bp
или
ϕ
F
=
ϕ
i
+
ϕ
bn
,

Страницы