Физические основы микроэлектроники. Захаров А.Г - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

6
где
ϕ
i
– потенциал, соответствующий середине запрещенной зоны
полупроводника;
ϕ
bp
=
ϕ
Т
ln(p/n
i
),
ϕ
Fn
=
ϕ
Т
ln(n/n
i
) – объемные потенциалы.
Таким образом, согласно данным выражениям, в собственных
полупроводниках (n=p=n
i
) уровень Ферми расположен в середине
запрещенной зоны, в электронных полупроводниках (n>n
i
) – в верхней
половине, а в дырочных (р>n
i
) – в нижней половине запрещенной зоны.
Уровень Ферми одинаков во всех частях равновесной системы,
какой бы разнородной она ни была, т. е.
ϕ
F
=const.
Закон полного тока в полупроводнике n-типа
)
dx
dn
Dn(q
nn
+
ξµ
j
n
= ,
в полупроводнике р-типа
)
dx
dp
Dp(q
pp
−
ξµ
j
p
= ,
где
dx
dp
и
dx
dn
nTn
D
– градиент концентраций дырок и электронов;
µ
p
,
µ
n
–
подвижности дырок и электронов соответственно; D
p
и D
n
–
коэффициенты диффузии дырок и электронов;
ξ
– напряженность
внешнего электрического поля.
Соотношение Эйнштейна, показывающее связь между
коэффициентом диффузии и подвижностью носителей заряда,
µ
ϕ
=
pTp
D
µ
=
,
ϕ
в полупроводнике n- и p-типа соответственно.
Уравнение непрерывности для стационарных условий
(
0
t
p
,
t
n
=
∂∂
∂ ∂
), выражающее закон сохранения частиц,
n
0n
nn
g
x
j
τ
−
−=
∂
∂
31
q
1
−
,
II. ТЕМЫ РЕФЕРАТОВ
1. Сенсоры температуры на основе полупроводниковых структур.
2. Сенсоры давления на основе полупроводниковых структур.
3. Сенсоры газов на основе полупроводниковых структур.
4. Сенсоры влажности на основе полупроводниковых структур.
5. Сенсоры электромагнитных излучений на основе
полупроводниковых структур.
6. Светодиоды (физика, конструкции, технология, рабочие
характеристики).
7. Фотодетекторы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы).
8. Солнечные элементы
на однородных и неоднородных p-n-
переходах.
9. Солнечные элементы на поверхностных и тонкопленочных
полупроводниковых структурах.
10. Линейные дефекты в кремнии и их влияние на его
электрофизические свойства.
11. Функциональные устройства на основе приборов с зарядовой
связью.
12. Функциональные устройства на основе объемного отрицательного
сопротивления.
13. Функциональные устройства на оптронах.
14. Функциональные
устройства на поверхностных акустических
волнах.
15. Функциональные магнитоэлектрические устройства.
16. Функциональные элементы и устройства на основе явления
сверхпроводимости.
17. Функциональные устройства на тонкопленочных многослойных
структурах.
18. Молекулярная электроника.
19. Диагностика глубоких энергетических уровней в
полупроводниковых структурах.
20. Физические и технологические ограничения традиционного
направления развития микроэлектроники.
21. Наноэлектроника, наноэлектронные структуры и способы
их
формирования.
22. Физические проблемы надежности интегральных микросхем.
23. Емкостные методы контроля параметров полупроводниковых
структур.
24. Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
25. Применение квантово-размерных структур в приборах микро - и
наноэлектроники.

Страницы