Физические основы микроэлектроники. Захаров А.Г - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

8
где
σ
p
,
σ
n
– электропроводность полупроводников p-и n-типов;
N
a
, N
d
– концентрация акцепторов и доноров соответственно.
Удельное сопротивление материала p-типа
ρ
p
=(qN
a
µ
p
)
-1
,
откуда
N
а
=(q
ρ
a
µ
p
)
-1
. (3)
Аналогично концентрация доноров
N
d
=(q
ρ
n
µ
n
)
-1
. (4)
При известных значениях N
а
и N
d
выражение для диффузионного
потенциала (контактной разности потенциалов) может быть
представлено в виде
2
i
da
T0
n
NN
ln
ϕϕ
= . (5)
2.3.2. Вольтамперная характеристика (ВАХ) идеального
p-n-перехода может быть описана следующим выражением:
]1)
U
[exp(
T
0
−
ϕ
II = , (6)
где I
0
– ток насыщения; U – приложенное напряжение. Ток насыщения
I
0
определяется следующим выражением:
)
L
nD
L
pD
(
n
pn
p
np
+qAI
0
=
, (7)
где A – площадь p-n-перехода.
Когда N
a
»N
d
, обратный ток насыщения определяется
соотношением
d
p
2
i
0
WN
DqAn
I =
29
5.1. Методы получения монокристаллических подложек.
5.2. Механизмы роста пленок на подложках.
5.3. Механизмы удаления поверхностных загрязнений подложек.
5.4. Кинетика химического травления кремния.
5.5. Методы и механизмы геттерирования собственных и
примесных дефектов в полупроводниковых подложках.
I.6. МДП-структура
В МДП-транзисторе с кремниевым затвором рассчитать и
построить зависимость порогового напряжения как функции
концентрации доноров N
d
в подложке из кремния n-типа
проводимости. Диэлектрик – SiO
2
. Считать МДП-структуру идеальной.
Основываясь на данных расчета, построить энергетическую
диаграмму МДП-структуры в режиме сильной инверсии при N
di
, см
-3
.
Рассчитать величину дифференциальной емкости МДП-структуры
в данном транзисторе в режимах сильной инверсии и обогащения.
Численные значения исходных данных, необходимых для
выполнения задания по вариантам 6.1 – 6.5, представлены в табл. 6.
Таблица 6
№
варианта
Тип
затвора
Толщина
окисла,
нм
Т,
К
N
d
,
см
-3
N
di
,
см
-3
6.1 p
+
80 280 10
13
–10
17
1,5⋅10
16
6.2 n
+
90 290 10
13
–10
17
2⋅10
16
6.3 p
+
100 300 10
13
–10
17
3⋅10
16
6.4 n
+
110 310 10
13
–10
17
4⋅10
16
6.5 p
+
120 320 10
13
–10
17
5⋅10
16
Задание к вопросу о методе формирования
полупроводниковой структуры
6.1. Технология изготовления МОП-транзистора с каналом p-типа.
6.2. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
6.3. Конструктивно-технологические методы управления зарядом в
подзатворном диэлектрике МДП-структуры.
, (8)
6.4. МНОП-технология в производстве МДП-транзисторов.

Страницы