ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
20
Символы R и S в переменных типа IS, VRS, CRS, QRS означают
аббревиатуры выводов компонентов
Устройство Аббрев . Названия выводов
МОП-транзистор (MOSfets)
D, G, S, B
Сток, затвор, исток, подложка
Полевой транзистор (Jfets)
D, G, S
Сток, затвор, исток
Арсенид-галлиевый транзистор
(GaAsfets)
D, G, S
Сток, затвор, исток
Биполярный транзистор (BJT)
B, E, C, S
База , эмиттер, коллектор, по -
ложка
Статически индуцированный би-
полярный транзистор (IGBT)
5)
C, G, E
Коллектор, затвор, эмиттер
Линия передачи (Tran. Line)
AP, AM,
BP, BM
Вход +, вход -,
Выход +, выход -
Возможные имена переменных типа IS, VRS, CRS, QRS
Компонент Напряжение Ток Ёмкость Заряд
Резистор
V I Нет Нет
Конденсатор
V I C Q
Индуктивность
V I Нет Нет
Диод
V I C Q
Линия передачи
VAP, VAM, VBP,
VBM
IAP, IAM,
IBP, IBM
Нет Нет
Биполярный
транзистор
VBE, VBC, VEB,
VEC, VCB,VCE
IB, IE, IC CBE, CBC
QBE, QBC
Биполярный
транзистор с вы-
водом подложки
VBE, VBC, VBS,
VEB, VEC, VES,
VCB,VCE, VBS
IB, IE, IC,
IS
CBE,
CBC, CCS
QBE,
QBC, QCS
МОП-транзистор
VGS, VGD, VGB,
VDS, VDG, VDS,
VSG, VSD, VSB,
VBG, VBD, VBS
IG, IS, ID,
IB
CGS,
CGD,
CGB,
CBD, CBS
QGS,
QGD,
QGB,
QBD, GBS
Полевой
транзистор
VGS, VGD, VDG,
VDS, VSG, VSD
IG, IS, ID CGS, CGD
QGS,
QGD
Арсенид-галли -
евый транзистор
VGS, VGD, VDG,
VDS, VSG, VSD
IG, IS, ID CGS, CGD
QGS,
QGD
Источник тока
или напряжения
V I Нет Нет
После имени переменной типа IS, VRS, CRS, QRS в скобках указывается
позиционное обозначение компонента . Например, VGS(М 1) - напряжение за -
твор-исток МОП-транзистора М 1, IC(VT1) – ток коллектора биполярного тран-
зистора VT1, VBE(Q1) – напряжение база -эмиттер транзистора Q1 .
Приложение F. ОСНОВНЫЕ ОПЕРАТОРЫ И ФУНКЦИИ
Арифметические операторы
+ – сложение - – вычитание * – умножение / – деление
DIV – целочисленное деление MOD – остаток целочисленного деления
